3.3pF的線路電容使TVS高速總線和高數據速率總線
發布時間:2021/6/4 21:01:50 訪問次數:341
ESDCAN03-2BM3Y的最低鉗位電壓33V(1A時為8/20μs)和37V(16A時的傳輸線脈沖(TLP))，瞬變保護性能非常出色。
器件還通過了ISO 16750-2的汽車電瓶搭電和電池極性接反測試，極強的魯棒性可耐受15kV ESD接觸放電(ISO 10605)沖擊，額定3.3A峰值脈沖電流，能夠處理強涌流。
除CAN和CAN-FD總線外，只有3.3pF的線路電容使TVS還能保護高速總線和高數據速率總線，例如，FlexRay™和USB。
制造商:Silicon Laboratories 產品種類:8位微控制器 -MCU 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-20 程序存儲器大小:16 kB 數據總線寬度:8 bit ADC分辨率:10 bit 最大時鐘頻率:25 MHz 輸入/輸出端數量:17 I/O 數據 RAM 大小:768 B 工作電源電壓:2.7 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube 高度:0.88 mm 長度:4 mm 產品:MCU 程序存儲器類型:Flash 寬度:4 mm 商標:Silicon Labs 接口類型:I2C, SPI, UART ADC通道數量:16 Channel 計時器/計數器數量:4 Timer 處理器系列:C8051 產品類型:8-bit Microcontrollers - MCU 工廠包裝數量91 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.7 V 單位重量:42.480 mg
Cortex®-A53 MP核平臺具有四個對稱的Cortex® -A53處理器,32KB L1指令緩存,32KB L1數據緩存,媒體處理引擎(MPE)和Arm® NEONTM技術,支持先進的單指令多數據架構.
浮點單元(FPU)支持Arm® VFPv4-D16架構,支持64位Arm®v8-A架構以及512KB統一的L2緩存.
Cortex®-M7核平臺具有用于消費類電子的低功耗微處理器:低功耗待機模式,包括Weave的IoT特性,管理IR或無線遙控,機器學習(ML)推理應用.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
ESDCAN03-2BM3Y的最低鉗位電壓33V(1A時為8/20μs)和37V(16A時的傳輸線脈沖(TLP))，瞬變保護性能非常出色。
器件還通過了ISO 16750-2的汽車電瓶搭電和電池極性接反測試，極強的魯棒性可耐受15kV ESD接觸放電(ISO 10605)沖擊，額定3.3A峰值脈沖電流，能夠處理強涌流。
除CAN和CAN-FD總線外，只有3.3pF的線路電容使TVS還能保護高速總線和高數據速率總線，例如，FlexRay™和USB。
制造商:Silicon Laboratories 產品種類:8位微控制器 -MCU 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-20 程序存儲器大小:16 kB 數據總線寬度:8 bit ADC分辨率:10 bit 最大時鐘頻率:25 MHz 輸入/輸出端數量:17 I/O 數據 RAM 大小:768 B 工作電源電壓:2.7 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube 高度:0.88 mm 長度:4 mm 產品:MCU 程序存儲器類型:Flash 寬度:4 mm 商標:Silicon Labs 接口類型:I2C, SPI, UART ADC通道數量:16 Channel 計時器/計數器數量:4 Timer 處理器系列:C8051 產品類型:8-bit Microcontrollers - MCU 工廠包裝數量91 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.7 V 單位重量:42.480 mg
Cortex®-A53 MP核平臺具有四個對稱的Cortex® -A53處理器,32KB L1指令緩存,32KB L1數據緩存,媒體處理引擎(MPE)和Arm® NEONTM技術,支持先進的單指令多數據架構.
浮點單元(FPU)支持Arm® VFPv4-D16架構,支持64位Arm®v8-A架構以及512KB統一的L2緩存.
Cortex®-M7核平臺具有用于消費類電子的低功耗微處理器:低功耗待機模式,包括Weave的IoT特性,管理IR或無線遙控,機器學習(ML)推理應用.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
