Vishay SferniceP2TC擴大阻值和溫度范圍TCR可達±2 ppm/C
發布時間:2021/6/6 23:59:42 訪問次數:625
多路模式的最大無線電帶寬間隔是1.2GHz.器件具有FDD和TDD單和多波段無線電,Tx/Rx通路帶寬高達1.6 GHz/2 GHz (4T4R).
4D4A (4 × 3 GSPS 到12 GSPS DAC和4 × 1.5 GSPS到4 GSPS ADC).支持發送器IQ輸入數據速率高達1.5Gbps,支持接收器IQ輸出數據速率高達2Gbps.
RF DAC/RF ADC輸出/輸入−3 dB帶寬 5.2 GHz 和7.5 GHz.器件的典型功耗為6W到7W,采用15 mm × 15 mm BGA封裝.
制造商:Panasonic 產品種類:鋁質電解電容器-SMD RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:S-V 產品:Aluminum Electrolytic Capacitors 電容:33 uF 電壓額定值 DC:25 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 直徑:5 mm 長度:5.4 mm 高度:5.4 mm 壽命:1000 Hour 紋波電流:42 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 商標:Panasonic 漏泄電流:3 uA 損耗因數 DF:0.2 產品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數量:1000 子類別:Capacitors 單位重量:200 mg
新款高精度薄膜片式電阻，適用于工業、醫療、國防和航空航天應用。與競品器件相比，Vishay SferniceP2TC擴大了阻值和溫度范圍，TCR可達± 2 ppm/C，具有多種外形尺寸并提高了額定功率。
封裝內部電路額定電壓最高650V，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。MasterGaN模塊適用于各種額定功率，工程師略做硬件修改，即可擴展升級系統設計。
主要用在無線通信基礎設備, W-CDMA, LTE, LTE-A和大規模天線技術,微波點對點和E波段5G mmWave,寬帶通信系統, DOCSIS 3.0 CMTS,相陣列雷達和電子對抗以及電子測試和測量系統.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
多路模式的最大無線電帶寬間隔是1.2GHz.器件具有FDD和TDD單和多波段無線電,Tx/Rx通路帶寬高達1.6 GHz/2 GHz (4T4R).
4D4A (4 × 3 GSPS 到12 GSPS DAC和4 × 1.5 GSPS到4 GSPS ADC).支持發送器IQ輸入數據速率高達1.5Gbps,支持接收器IQ輸出數據速率高達2Gbps.
RF DAC/RF ADC輸出/輸入−3 dB帶寬 5.2 GHz 和7.5 GHz.器件的典型功耗為6W到7W,采用15 mm × 15 mm BGA封裝.
制造商:Panasonic 產品種類:鋁質電解電容器-SMD RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:S-V 產品:Aluminum Electrolytic Capacitors 電容:33 uF 電壓額定值 DC:25 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 直徑:5 mm 長度:5.4 mm 高度:5.4 mm 壽命:1000 Hour 紋波電流:42 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 商標:Panasonic 漏泄電流:3 uA 損耗因數 DF:0.2 產品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數量:1000 子類別:Capacitors 單位重量:200 mg
新款高精度薄膜片式電阻，適用于工業、醫療、國防和航空航天應用。與競品器件相比，Vishay SferniceP2TC擴大了阻值和溫度范圍，TCR可達± 2 ppm/C，具有多種外形尺寸并提高了額定功率。
封裝內部電路額定電壓最高650V，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。MasterGaN模塊適用于各種額定功率，工程師略做硬件修改，即可擴展升級系統設計。
主要用在無線通信基礎設備, W-CDMA, LTE, LTE-A和大規模天線技術,微波點對點和E波段5G mmWave,寬帶通信系統, DOCSIS 3.0 CMTS,相陣列雷達和電子對抗以及電子測試和測量系統.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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