JFET摻雜技術的導通電阻降低約15%的高分辨率3-D點云
發布時間:2021/6/14 7:40:58 訪問次數:320
第二代全SiC（碳化硅）功率模塊，該模塊采用一種全新開發的工業用SiC芯片。
組件中的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的低功耗特性和高載操作有望促進在各種工業領域開發更高效、更小、重量更輕的功率設備。
與三菱第一代SiC產品相比，JFET摻雜技術的導通電阻降低了約15%。
減小鏡像電容（mirror capacitance 即MOSFET結構中柵極和漏極之間的雜散電容）可以實現快速開關并降低開關損耗。
掃描環境時，固態技術可提供遠距離和高空間分辨率。這可以對環境進行精確建模，并且可以更快，更準確地檢測道路變化。
LiDAR是確保流程自動化中最大安全性的完美關鍵技術。我們的新型ibeoNEXT固態LiDAR具有出色的色彩，可以滿足這些要求，并可以在廣泛的應用中使用。
該傳感器每秒可處理超過一百萬個距離值,它可以在不移動部件（真正的固態）的情況下工作，并生成用于物體檢測的高分辨率3-D點云以及其他黑白圖像。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
第二代全SiC（碳化硅）功率模塊，該模塊采用一種全新開發的工業用SiC芯片。
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與三菱第一代SiC產品相比，JFET摻雜技術的導通電阻降低了約15%。
減小鏡像電容（mirror capacitance 即MOSFET結構中柵極和漏極之間的雜散電容）可以實現快速開關并降低開關損耗。
掃描環境時，固態技術可提供遠距離和高空間分辨率。這可以對環境進行精確建模，并且可以更快，更準確地檢測道路變化。
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(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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公網安備44030402000607
