DPLL可編程的帶寬和實時頻率/相位調整的DCO功能
發布時間:2021/6/18 13:07:34 訪問次數:1055
使用微調引腳可以調整+/-20%的輸出電壓（輸出電壓48V可調-20%/+10%），TUNS1200系列還包括一個有源電壓微調輸入（VTRM），可通過施加外部電壓源將輸出電壓調至零伏。
對于需要恒流（CC）的電池充電器等應用，TUNS1200包括一個專用引腳（ITRM），通過施加直流電壓或將電阻器連接到-S端，可以將略高于零的恒流設置成想要的電流。
制造商:Texas Instruments 產品種類:運算放大器 - 運放 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 每個通道的輸出電流:113 mA Vos - 輸入偏置電壓 :4 mV 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C Ib - 輸入偏流:200 pA 工作電源電流:107 uA CMRR - 共模抑制比:86 dB 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.45 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長度:4.9 mm 輸出類型:Rail-to-Rail 產品:Operational Amplifiers 電源類型:Single 技術:CMOS 寬度:3.9 mm 商標:Texas Instruments In—輸入噪聲電流密度:0.001 pA/sqrt Hz 工作電源電壓:3 V, 5 V 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:65 dB 2500 子類別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:116 dB 單位重量:187 mg
8V19N850是全集成的無線電單元時鐘同步器和轉換器時鐘發生器,支持兩個獨立的頻率域:一個是有四個輸出的數字時鐘(以太網和FEC速率)域,另一個是有12個輸出的設備時鐘(RF-PLL)域.
以太網域從兩個不同APLL來產生適應的頻率,RF時鐘域的輸出產生非常低相位噪音的時鐘以用于ADC/DAC電路.
雙DPLL前端架構支持任何的頻率轉換,每個DPLL提供可編程的帶寬和用于實時頻率/相位調整的DCO功能.DPLL能鎖住1PPS輸入信號,并在100秒或更低時間建立鎖住.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
使用微調引腳可以調整+/-20%的輸出電壓（輸出電壓48V可調-20%/+10%），TUNS1200系列還包括一個有源電壓微調輸入（VTRM），可通過施加外部電壓源將輸出電壓調至零伏。
對于需要恒流（CC）的電池充電器等應用，TUNS1200包括一個專用引腳（ITRM），通過施加直流電壓或將電阻器連接到-S端，可以將略高于零的恒流設置成想要的電流。
制造商:Texas Instruments 產品種類:運算放大器 - 運放 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 每個通道的輸出電流:113 mA Vos - 輸入偏置電壓 :4 mV 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C Ib - 輸入偏流:200 pA 工作電源電流:107 uA CMRR - 共模抑制比:86 dB 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.45 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長度:4.9 mm 輸出類型:Rail-to-Rail 產品:Operational Amplifiers 電源類型:Single 技術:CMOS 寬度:3.9 mm 商標:Texas Instruments In—輸入噪聲電流密度:0.001 pA/sqrt Hz 工作電源電壓:3 V, 5 V 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:65 dB 2500 子類別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:116 dB 單位重量:187 mg
8V19N850是全集成的無線電單元時鐘同步器和轉換器時鐘發生器,支持兩個獨立的頻率域:一個是有四個輸出的數字時鐘(以太網和FEC速率)域,另一個是有12個輸出的設備時鐘(RF-PLL)域.
以太網域從兩個不同APLL來產生適應的頻率,RF時鐘域的輸出產生非常低相位噪音的時鐘以用于ADC/DAC電路.
雙DPLL前端架構支持任何的頻率轉換,每個DPLL提供可編程的帶寬和用于實時頻率/相位調整的DCO功能.DPLL能鎖住1PPS輸入信號,并在100秒或更低時間建立鎖住.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-25全新 Riedon高功率厚膜電阻 PFS35 系列
- 11-25業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底
- 11-253Dblox技術A16 1.6nm工藝簡述
- 11-25快速開關場效應晶體管優勢及關鍵技術
- 11-25精密分流電阻器和電流觀察電阻器（CVR）優特點
- 11-25新型IsoVu隔離電流探頭應用詳情
- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
公網安備44030402000607
