普通的耐壓200V以下的GaN器件的柵極驅動電壓為5V
發布時間:2021/6/27 22:12:44 訪問次數:541
普通的耐壓200V以下的GaN器件的柵極驅動電壓為5V，而其柵極-源極間額定電壓為6V，其電壓裕度非常小，只有1V。
針對這種課題，ROHM通過采用自有的結構，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規的6V提高到了業內超高的8V。
這使器件工作時的電壓裕度達到普通產品的三倍，在開關工作過程中即使產生了超過6V的過沖電壓，器件也不會劣化，從而有助于提高電源電路的可靠性。
制造商:STMicroelectronics產品種類:ARM微控制器 - MCURoHS: 系列:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WLCSP-64核心:程序存儲器大小:512 kB數據總線寬度:32 bit最大時鐘頻率:120 MHz數據 RAM 大小:128 kB工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel程序存儲器類型:Flash商標:STMicroelectronics數據 Ram 類型:SRAM數據 ROM 大小:512 B處理器系列:ARM Cortex M產品類型:ARM Microcontrollers - MCU3000子類別:Microcontrollers - MCU電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:1.8 V商標名:單位重量:17 mg
此外，RX23W還擁有豐富的外設，包括觸摸鍵、USB和CAN等IoT設備不可或缺的功能。
隨著物聯網設備的開發周期越來越短，開發壓力也越來越大。在備受廣大客戶青睞的RX MCU推出十周年之際，瑞薩推出了首款基于RX的藍牙通信模塊，幫助客戶提高產品開發效率。
RX23W模塊可與瑞薩模擬和電源產品相結合，開發適用于各類應用的全面解決方案。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
普通的耐壓200V以下的GaN器件的柵極驅動電壓為5V，而其柵極-源極間額定電壓為6V，其電壓裕度非常小，只有1V。
針對這種課題，ROHM通過采用自有的結構，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規的6V提高到了業內超高的8V。
這使器件工作時的電壓裕度達到普通產品的三倍，在開關工作過程中即使產生了超過6V的過沖電壓，器件也不會劣化，從而有助于提高電源電路的可靠性。
制造商:STMicroelectronics產品種類:ARM微控制器 - MCURoHS: 系列:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WLCSP-64核心:程序存儲器大小:512 kB數據總線寬度:32 bit最大時鐘頻率:120 MHz數據 RAM 大小:128 kB工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel程序存儲器類型:Flash商標:STMicroelectronics數據 Ram 類型:SRAM數據 ROM 大小:512 B處理器系列:ARM Cortex M產品類型:ARM Microcontrollers - MCU3000子類別:Microcontrollers - MCU電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:1.8 V商標名:單位重量:17 mg
此外，RX23W還擁有豐富的外設，包括觸摸鍵、USB和CAN等IoT設備不可或缺的功能。
隨著物聯網設備的開發周期越來越短，開發壓力也越來越大。在備受廣大客戶青睞的RX MCU推出十周年之際，瑞薩推出了首款基于RX的藍牙通信模塊，幫助客戶提高產品開發效率。
RX23W模塊可與瑞薩模擬和電源產品相結合，開發適用于各類應用的全面解決方案。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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