IGBT模塊安裝最大限度縮短了引線提供小占位面積的封裝
發布時間:2021/6/30 20:20:46 訪問次數:259
ModCap 采用特殊結構設計,能最大限度減小雜散電感,整個系列的電感值均不超過 14 nH。
新穎的設計還使其能靠近 IGBT 模塊安裝,最大限度縮短了引線。加上低至 14 nH 的超低自感,可確保在斷電時有效防止 IGBT 模塊上出現明顯電壓過沖。
因此,一般情況下就無需額外的緩沖電容器。
ModCap 凝聚了 TDK 在 AD-HOC 樹脂填充解決方案領域的豐富經驗和知識,采用智能金屬型材,可最大化自愈能力,同時能處理高電流密度并控制損耗。
制造商: SanDisk
產品種類: 存儲卡
RoHS: 詳細信息
系列: SDSDQAF3
產品: MicroSD Cards
配置: MLC
存儲容量: 16 GB
連續寫入: 50 MB/s
連續讀取: 80 MB/s
接口類型: UHS-I (SDR104)
工作電源電壓: 2.7 V to 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
性能: Speed Class 10 U1
商標: SanDisk
NAND閃存技術: MLC
產品類型: Memory Cards
工廠包裝數量: 120
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 4.536 g
Lattice Nexus FPGA平臺,采用低功耗28nm FD-SOI工藝,組合了FPGA的極好的靈活性和低功耗和高可靠性,提供了小占位面積的封裝.CrossLink-NX系列支持多種接口包括MIPI D-PHY (CSI-2, DSI), LVDS, SLVS, subLVDS, PCI Express (Gen1, Gen2), SGMII (吉比特以太網)等.
支持高達1.8V VCCIO,混合電壓支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高達1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太網)-1.25Gbps時兩路(Tx/Rx).
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
ModCap 采用特殊結構設計,能最大限度減小雜散電感,整個系列的電感值均不超過 14 nH。
新穎的設計還使其能靠近 IGBT 模塊安裝,最大限度縮短了引線。加上低至 14 nH 的超低自感,可確保在斷電時有效防止 IGBT 模塊上出現明顯電壓過沖。
因此,一般情況下就無需額外的緩沖電容器。
ModCap 凝聚了 TDK 在 AD-HOC 樹脂填充解決方案領域的豐富經驗和知識,采用智能金屬型材,可最大化自愈能力,同時能處理高電流密度并控制損耗。
制造商: SanDisk
產品種類: 存儲卡
RoHS: 詳細信息
系列: SDSDQAF3
產品: MicroSD Cards
配置: MLC
存儲容量: 16 GB
連續寫入: 50 MB/s
連續讀取: 80 MB/s
接口類型: UHS-I (SDR104)
工作電源電壓: 2.7 V to 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
性能: Speed Class 10 U1
商標: SanDisk
NAND閃存技術: MLC
產品類型: Memory Cards
工廠包裝數量: 120
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 4.536 g
Lattice Nexus FPGA平臺,采用低功耗28nm FD-SOI工藝,組合了FPGA的極好的靈活性和低功耗和高可靠性,提供了小占位面積的封裝.CrossLink-NX系列支持多種接口包括MIPI D-PHY (CSI-2, DSI), LVDS, SLVS, subLVDS, PCI Express (Gen1, Gen2), SGMII (吉比特以太網)等.
支持高達1.8V VCCIO,混合電壓支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高達1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太網)-1.25Gbps時兩路(Tx/Rx).
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)