高頻DC/DC轉換器減少開關壓力和系統浪涌電流
發布時間:2021/7/8 19:44:54 訪問次數:562
LinkSwitch™-TNZ高效開關電源IC在一個緊湊的SO-8C封裝當中集成了離線功率變換、無損耗過零點檢測以及可選的X電容放電功能,可用于輸出電流高達575mA的非隔離降壓和降壓-升壓電源應用,而如果采用隔離反激式設計,通用輸入電壓下可提供高達12W的輸出功率。
新的LinkSwitch-TNZ IC在正弦AC輸入電壓為零伏時會發出精準的信號指示。
這些信號在智能家居和智能建筑(HBA)產品和家電應用中可用來控制繼電器、IGBT和TRIAC的開關,以減少開關壓力和系統浪涌電流。
制造商: NXP
產品種類: ARM微控制器 - MCU
RoHS: 詳細信息
系列: LPC5410x
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFP-64
核心: ARM Cortex M0+, ARM Cortex M4
程序存儲器大小: 512 kB
數據總線寬度: 32 bit
ADC分辨率: 12 bit
最大時鐘頻率: 150 MHz, 150 MHz
輸入/輸出端數量: 50 I/O
數據 RAM 大小: 104 kB
工作電源電壓: 1.8 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
封裝: Tray
長度: 12.15 mm
產品: MCU
程序存儲器類型: Flash
商標: NXP Semiconductors
數據 Ram 類型: SRAM
接口類型: I2C, SPI, USART
模擬電源電壓: 1.62 V to 3.6 V
I/O 電壓: 3.3 V
ADC通道數量: 12 Channel
計時器/計數器數量: 5 Timer
處理器系列: LPC5410x
產品類型: ARM Microcontrollers - MCU
工廠包裝數量: 160
子類別: Microcontrollers - MCU
電源電壓-最大: 1.95 V
電源電壓-最小: 1.62 V
看門狗計時器: Watchdog Timer
零件號別名: 935305138151
單位重量: 1 mg
由于EPC2054具有低電阻、低開關損耗、沒有反向恢復電荷、快速開關、可在高頻下工作和微小的占板面積等優勢,因此可實現低成本且具有高功率密度的解決方案,適用于但不限于高頻DC/DC轉換器、同步整流、無線電源、D類音頻放大器、自動化、太陽能和光學等應用。
新型eGaN FET的明顯優勢,功率系統設計人員可以利用性能更高、體積更小、散熱效率更高且成本相當的氮化鎵器件實現優越的解決方案。
氮化鎵器件替代功率 MOSFET 的速度將繼續加速。
LinkSwitch™-TNZ高效開關電源IC在一個緊湊的SO-8C封裝當中集成了離線功率變換、無損耗過零點檢測以及可選的X電容放電功能,可用于輸出電流高達575mA的非隔離降壓和降壓-升壓電源應用,而如果采用隔離反激式設計,通用輸入電壓下可提供高達12W的輸出功率。
新的LinkSwitch-TNZ IC在正弦AC輸入電壓為零伏時會發出精準的信號指示。
這些信號在智能家居和智能建筑(HBA)產品和家電應用中可用來控制繼電器、IGBT和TRIAC的開關,以減少開關壓力和系統浪涌電流。
制造商: NXP
產品種類: ARM微控制器 - MCU
RoHS: 詳細信息
系列: LPC5410x
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFP-64
核心: ARM Cortex M0+, ARM Cortex M4
程序存儲器大小: 512 kB
數據總線寬度: 32 bit
ADC分辨率: 12 bit
最大時鐘頻率: 150 MHz, 150 MHz
輸入/輸出端數量: 50 I/O
數據 RAM 大小: 104 kB
工作電源電壓: 1.8 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
封裝: Tray
長度: 12.15 mm
產品: MCU
程序存儲器類型: Flash
商標: NXP Semiconductors
數據 Ram 類型: SRAM
接口類型: I2C, SPI, USART
模擬電源電壓: 1.62 V to 3.6 V
I/O 電壓: 3.3 V
ADC通道數量: 12 Channel
計時器/計數器數量: 5 Timer
處理器系列: LPC5410x
產品類型: ARM Microcontrollers - MCU
工廠包裝數量: 160
子類別: Microcontrollers - MCU
電源電壓-最大: 1.95 V
電源電壓-最小: 1.62 V
看門狗計時器: Watchdog Timer
零件號別名: 935305138151
單位重量: 1 mg
由于EPC2054具有低電阻、低開關損耗、沒有反向恢復電荷、快速開關、可在高頻下工作和微小的占板面積等優勢,因此可實現低成本且具有高功率密度的解決方案,適用于但不限于高頻DC/DC轉換器、同步整流、無線電源、D類音頻放大器、自動化、太陽能和光學等應用。
新型eGaN FET的明顯優勢,功率系統設計人員可以利用性能更高、體積更小、散熱效率更高且成本相當的氮化鎵器件實現優越的解決方案。
氮化鎵器件替代功率 MOSFET 的速度將繼續加速。