新型Qspeed二極管的Qrr是次優超快速硅二極管的一半
發布時間:2021/7/8 20:02:59 訪問次數:871
SC230AI/SC430AI/SC530AI作為思特威推出的高階成像系列三款新產品.
600V 12A的Qspeed二極管，在硅二極管當中具有業界最低的反向恢復電荷(Qrr)特性。在25°C時，Qrr僅為14nC，該二極管可提高車載充電器PFC級的效率，可顯著降低PFC MOSFET的溫升。
通過AEC-Q101認證的QH12TZ600Q具有與碳化硅(SiC)器件相同的低開關損耗性能，可是并沒有因為采用昂貴的技術而帶來成本增加的缺點。
新型Qspeed二極管的Qrr是次優超快速硅二極管的一半，可實現非常高的系統效率。
制造商:ROHM Semiconductor 產品種類:雙極晶體管 - 預偏置 配置:Single 晶體管極性:NPN 典型輸入電阻器:1 kOhms 典型電阻器比率:0.1 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 直流集電極/Base Gain hfe Min:82 集電極連續電流:500 mA 峰值直流集電極電流:500 mA Pd-功率耗散:200 mW 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:82 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 寬度:1.6 mm 商標:ROHM Semiconductor 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數量3000 子類別:Transistors 零件號別名:DTD113ZK 單位重量:8 mg
在尺寸受限的設計中，LX2162A、LX2122A和LX2082A可實現與LX2xx0A器件相當的處理能力，但尺寸大約只有其四分之一。
LX2xx2A處理器采用了低功耗的16nm FinFET工藝技術，能夠以有限的尺寸支持出色的性能，適用于網絡接口卡和定制子卡等小型板卡。
這些多功能處理器可提供多達16個以太網端口、多達24個PCIe Gen4通道和24個工作頻率可達25GHz的SerDes通道。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
SC230AI/SC430AI/SC530AI作為思特威推出的高階成像系列三款新產品.
600V 12A的Qspeed二極管，在硅二極管當中具有業界最低的反向恢復電荷(Qrr)特性。在25°C時，Qrr僅為14nC，該二極管可提高車載充電器PFC級的效率，可顯著降低PFC MOSFET的溫升。
通過AEC-Q101認證的QH12TZ600Q具有與碳化硅(SiC)器件相同的低開關損耗性能，可是并沒有因為采用昂貴的技術而帶來成本增加的缺點。
新型Qspeed二極管的Qrr是次優超快速硅二極管的一半，可實現非常高的系統效率。
制造商:ROHM Semiconductor 產品種類:雙極晶體管 - 預偏置 配置:Single 晶體管極性:NPN 典型輸入電阻器:1 kOhms 典型電阻器比率:0.1 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 直流集電極/Base Gain hfe Min:82 集電極連續電流:500 mA 峰值直流集電極電流:500 mA Pd-功率耗散:200 mW 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:82 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 寬度:1.6 mm 商標:ROHM Semiconductor 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數量3000 子類別:Transistors 零件號別名:DTD113ZK 單位重量:8 mg
在尺寸受限的設計中，LX2162A、LX2122A和LX2082A可實現與LX2xx0A器件相當的處理能力，但尺寸大約只有其四分之一。
LX2xx2A處理器采用了低功耗的16nm FinFET工藝技術，能夠以有限的尺寸支持出色的性能，適用于網絡接口卡和定制子卡等小型板卡。
這些多功能處理器可提供多達16個以太網端口、多達24個PCIe Gen4通道和24個工作頻率可達25GHz的SerDes通道。
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