先進的高精度電源轉換、測量和控制系統等解決方案，這方面的技術更一直領先全球。

全新的 Paramount HP 10013 射頻電源。新產品推出之后，該公司旗艦產品 Paramount RF (射頻) 電源系列將會有更多型號可供選擇。

Advanced Energy 的等離子工藝設備電源系統適用于半導體蝕刻、介電質蝕刻、沉積、濺鍍、離子植入等半導體和等離子薄膜工藝設備.

Paramount HP 10013 沿用這種在市場一直居領導地位等離子工藝電源技術,但性能則有進一步的提升.

制造商: ON Semiconductor

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: ATPAK-3

晶體管極性: P-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續漏極電流: 28 A

Rds On-漏源導通電阻: 75 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 73 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 70 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

配置: Single

系列: ATP301

晶體管類型: 1 P-Channel

商標: ON Semiconductor

下降時間: 190 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 130 ns

工廠包裝數量: 3000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 330 ns

典型接通延遲時間: 32 ns

單位重量: 4 g

CW-232提供：

極低的噴濺

快速潤濕性，甚至可以在銹蝕嚴重的表面進行焊接

殘留物顏色淺

與無鉛和錫鉛合金兼容

與熱風整平（HASL）、浸銀、ENIG和OSP表面兼容

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）