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光伏逆變器及電源板和磚式電源高端IP67級電子機箱解決方案

發布時間:2021/7/10 23:14:33 訪問次數:635


Multicomp Pro的全定制高端IP67級電子機箱解決方案。用戶只需通過e絡盟網站上的一款獨特在線工具,即可在數分鐘內輕松創建出定制機箱,也就是說,通過單項配置即可完成從原型設計到全面生產的整個流程。

隨著眾多企業涌入物聯網領域以挖掘其巨大價值,物聯網市場規模呈指數級增長。

設計工程師往往是在新產品設計流程后期才會采購合適的機箱,然而這樣卻可能產生封裝難題甚至影響產品性能。

制造商: Texas Instruments


產品種類: 模數轉換器 - ADC

RoHS: 詳細信息

系列: ADS7824

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-28

分辨率: 12 bit

通道數量: 4 Channel

接口類型: Parallel, SPI

采樣比: 40 kS/s

輸入類型: Single-Ended

結構: SAR

模擬電源電壓: 4.75 V to 5.25 V

數字電源電壓: 4.75 V to 5.25 V

SNR – 信噪比: 73 dB

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tube

特點: Internal Reference

高度: 2.35 mm

長度: 18 mm

轉換器數量: 1 Converter

功耗: 50 mW

寬度: 7.52 mm

商標: Texas Instruments

參考類型: External, Internal

DNL - 微分非線性: +/- 1 LSB

INL - 積分非線性: +/- 1 LSB

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 5 V

Pd-功率耗散: 50 mW

產品類型: ADCs - Analog to Digital Converters

SINAD - 信噪和失真率: 73 dB

工廠包裝數量: 20

子類別: Data Converter ICs

單位重量: 730.800 mg


RAA226110旨在驅動隔離和非隔離拓撲中的增強模式GaN FET,提供6.5V至18 V的寬電源電壓范圍。該器件同時提供反相(INB)和同相(IN)輸入,可滿足使用單個器件進行反相和同相柵極驅動的要求。

GaN Systems 650V GaN半橋評估板可與GaN Systems主板一起使用,以簡化設置和即插即用操作。

功能包括在2 MHz fSW時的集成VGS調節和具有40 mV / 80 mV / 120 mV可調閾值的可編程過流保護以及差分電流檢測以及可編程的源電流,用于可調的開啟壓擺率(0.3A,0.75A,或2A)。

這些產品包括牽引逆變器,工業電動機,儲能系統,光伏逆變器以及各種下部電源板和磚式電源。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


Multicomp Pro的全定制高端IP67級電子機箱解決方案。用戶只需通過e絡盟網站上的一款獨特在線工具,即可在數分鐘內輕松創建出定制機箱,也就是說,通過單項配置即可完成從原型設計到全面生產的整個流程。

隨著眾多企業涌入物聯網領域以挖掘其巨大價值,物聯網市場規模呈指數級增長。

設計工程師往往是在新產品設計流程后期才會采購合適的機箱,然而這樣卻可能產生封裝難題甚至影響產品性能。

制造商: Texas Instruments


產品種類: 模數轉換器 - ADC

RoHS: 詳細信息

系列: ADS7824

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-28

分辨率: 12 bit

通道數量: 4 Channel

接口類型: Parallel, SPI

采樣比: 40 kS/s

輸入類型: Single-Ended

結構: SAR

模擬電源電壓: 4.75 V to 5.25 V

數字電源電壓: 4.75 V to 5.25 V

SNR – 信噪比: 73 dB

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tube

特點: Internal Reference

高度: 2.35 mm

長度: 18 mm

轉換器數量: 1 Converter

功耗: 50 mW

寬度: 7.52 mm

商標: Texas Instruments

參考類型: External, Internal

DNL - 微分非線性: +/- 1 LSB

INL - 積分非線性: +/- 1 LSB

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 5 V

Pd-功率耗散: 50 mW

產品類型: ADCs - Analog to Digital Converters

SINAD - 信噪和失真率: 73 dB

工廠包裝數量: 20

子類別: Data Converter ICs

單位重量: 730.800 mg


RAA226110旨在驅動隔離和非隔離拓撲中的增強模式GaN FET,提供6.5V至18 V的寬電源電壓范圍。該器件同時提供反相(INB)和同相(IN)輸入,可滿足使用單個器件進行反相和同相柵極驅動的要求。

GaN Systems 650V GaN半橋評估板可與GaN Systems主板一起使用,以簡化設置和即插即用操作。

功能包括在2 MHz fSW時的集成VGS調節和具有40 mV / 80 mV / 120 mV可調閾值的可編程過流保護以及差分電流檢測以及可編程的源電流,用于可調的開啟壓擺率(0.3A,0.75A,或2A)。

這些產品包括牽引逆變器,工業電動機,儲能系統,光伏逆變器以及各種下部電源板和磚式電源。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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