ROHM將持續擴充封裝陣容，以支持更廣泛的應用。同時，還計劃推進車載級產品的開發。

隨著人們利用網絡的“云端”工作模式和生活模式的快速發展，需要進一步豐富適用于需求日益擴大的數據中心服務器以及5G基站的產品陣容。

新產品采用ROHM第五代微米工藝技術，使柵極溝槽結構*4較ROHM以往產品更為細致精密，并提高了電流密度，從而在支持24V輸入的－40V/－60V耐壓Pch MOSFET領域中，實現了極為出色的單位面積低導通電阻。

制造商:Kyocera產品種類:集管和線殼產品:Wire Housings類型:Receptacle Housing位置數量:8 Position節距:2.5 mm排數:1 Row行距:-安裝風格:Cable Mount / Free Hanging端接類型:-安裝角:Straight觸點類型:-觸點電鍍:-系列:最小工作溫度:- 20 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Bulk觸點類型:-電流額定值:-外殼材料:Thermoplastic (TP)商標:Kyocera Electronic Components觸點材料:-可燃性等級:UL 94 V-0膠殼接口類型:FemaleIP 等級:-產品類型:Headers & Wire Housings1000子類別:Headers & Wire Housings

兩者均為通常使用Si襯底生產的功率半導體，它們的器件結構不同。

IGBT比其他功率半導體的成本更低，但存在需要續流二極管才能工作（需要雙芯片結構才能工作）、關斷損耗較大的課題.

與IGBT相比，SJ-MOSFET無需續流二極管即可工作（單芯片結構即可工作），而且關斷損耗較小，但存在難以應對大功率的問題。

作為一項突破,IGBT的續流二極管采用SiC SBD 而非傳統的Si-FRD,推出了可以降低損耗的Hybrid IGBT。

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