單個氮化鎵晶體管即可實現3.6千瓦(kW)的輸出功率
發布時間:2021/7/17 23:33:40 訪問次數:312
100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術,此技術適用的應用領域非常廣泛,包括雷達、航空電子、電子戰、工業、科研和醫療系統。
在100V工作時,此項技術通過單個氮化鎵晶體管即可實現3.6千瓦(kW)的輸出功率,打破了射頻功率的性能屏障。
與更常見的50V/65V氮化鎵技術相比,Integra的100V氮化鎵技術使設計師能夠大幅提高系統的功率水平和功能,同時還能采用更低功率的組合電路來簡化系統架構。
制造商: STMicroelectronics
產品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅動器
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerSSO-36
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: L99DZ70XP
商標: STMicroelectronics
濕度敏感性: Yes
產品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數量: 1000
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 484.700 mg
插銷型壓電擴音器(蜂鳴器)“PKHPS0013E40系列”(以下簡稱“本產品”)商品化。
壓電擴音器作為電子式聲音元件,用于在家電產品等各種電子設備中發出操作確認音和警示音等通知音。通知音的聲壓水平與擴音器的外殼尺寸成正比,因此,在需要易聽的高聲壓時,外殼尺寸會更大,通常使用中到大尺寸的擴音器。
本產品采用頻率控制技術,盡管體積小,但仍可達到與傳統中到大尺寸擴音器同等的聲壓水平,因此可以在不降低聲壓水平的情況下實現元件小型化。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術,此技術適用的應用領域非常廣泛,包括雷達、航空電子、電子戰、工業、科研和醫療系統。
在100V工作時,此項技術通過單個氮化鎵晶體管即可實現3.6千瓦(kW)的輸出功率,打破了射頻功率的性能屏障。
與更常見的50V/65V氮化鎵技術相比,Integra的100V氮化鎵技術使設計師能夠大幅提高系統的功率水平和功能,同時還能采用更低功率的組合電路來簡化系統架構。
制造商: STMicroelectronics
產品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅動器
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerSSO-36
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: L99DZ70XP
商標: STMicroelectronics
濕度敏感性: Yes
產品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數量: 1000
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 484.700 mg
插銷型壓電擴音器(蜂鳴器)“PKHPS0013E40系列”(以下簡稱“本產品”)商品化。
壓電擴音器作為電子式聲音元件,用于在家電產品等各種電子設備中發出操作確認音和警示音等通知音。通知音的聲壓水平與擴音器的外殼尺寸成正比,因此,在需要易聽的高聲壓時,外殼尺寸會更大,通常使用中到大尺寸的擴音器。
本產品采用頻率控制技術,盡管體積小,但仍可達到與傳統中到大尺寸擴音器同等的聲壓水平,因此可以在不降低聲壓水平的情況下實現元件小型化。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)