柵極驅動強大的去飽和故障響應和高效率的米勒鉗位
發布時間:2021/7/18 8:20:25 訪問次數:446
在全球“創建無碳社會”和“碳中和”等減少環境負荷的努力中,電動汽車(xEV)得以日益普及。
在設計汽車充電器和牽引逆變器時,將SiC FET用于功率開關的客戶可以極大地受益于Si828x獨特的功能組合,包括強健的柵極驅動、強大的去飽和故障響應和高效率的米勒鉗位。
Silicon Labs與SiC解決方案的主要提供商Wolfspeed進行合作,其柵極驅動器已經通過了Wolfspeed SiC MOSFET的測試。
針對SiCMOSFET進行了優化的柵極驅動器,可以最大限度地提高SiC在這些應用中的使用效果。
開發板和工具包 - ARM
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MOSFET
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RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT的反饋單元(續流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC SBD。與以往使用Si快速恢復二極管(Si-FRD)的IGBT產品相比,成功地大幅降低了開通損耗,在車載充電器應用中損耗比以往IGBT產品低67%。
與通常損耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比,損耗也可降低24%。
在轉換效率方面,新產品可以在更寬的工作頻率范圍確保97%以上的高效率,并且在100kHz的工作頻率下,效率可比IGBT高3%,有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業設備應用的功耗。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
在全球“創建無碳社會”和“碳中和”等減少環境負荷的努力中,電動汽車(xEV)得以日益普及。
在設計汽車充電器和牽引逆變器時,將SiC FET用于功率開關的客戶可以極大地受益于Si828x獨特的功能組合,包括強健的柵極驅動、強大的去飽和故障響應和高效率的米勒鉗位。
Silicon Labs與SiC解決方案的主要提供商Wolfspeed進行合作,其柵極驅動器已經通過了Wolfspeed SiC MOSFET的測試。
針對SiCMOSFET進行了優化的柵極驅動器,可以最大限度地提高SiC在這些應用中的使用效果。
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與通常損耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比,損耗也可降低24%。
在轉換效率方面,新產品可以在更寬的工作頻率范圍確保97%以上的高效率,并且在100kHz的工作頻率下,效率可比IGBT高3%,有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業設備應用的功耗。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)