寬的能帶隙重量和尺寸滿足更低系統直流功率要求
發布時間:2021/7/20 18:06:58 訪問次數:321
GaN能夠幫助雷達設計者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰，其具備寬的能帶隙，擁有極高的臨界擊穿電場；具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性，以及優異的功率密度。
將碳化硅（SiC）作為 GaN的襯底，能實現較低的熱膨脹、較低的晶格失配，以及出色的熱導率，進而充分發揮GaN 的特性。
單片微波集成電路（MMIC）能將多個元件的完整功能模塊制造在單個設備中，進而提高電路密度。
制造商: Infineon
產品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅動器
RoHS: 詳細信息
封裝 / 箱體: SSOP-24
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: TLE8088
商標: Infineon Technologies
濕度敏感性: Yes
產品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
零件號別名: TLE8088EM SP000685716
單位重量: 150.400 mg
放大器擁有三級增益，能夠提供大于 30dB 的大信號增益和大于 50% 的效率，能夠滿足更低的系統直流功率要求，并為簡化系統熱管理解決方案提供支持。
GaNMMIC是CMPA9396025S其能夠集成諸多技術，帶來SWaP-C 改進的最大化。
該三級器件針對9.3-GHz 至 9.6-GHz工作而設計，采用 6 × 6mmQFN 封裝，在 100-μs 脈沖寬度、占空比為 10% 條件下的功率為 25W。
其輸出典型值高達 40W，大信號增益大于 20dB，功率附加效率達 40%。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
GaN能夠幫助雷達設計者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰，其具備寬的能帶隙，擁有極高的臨界擊穿電場；具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性，以及優異的功率密度。
將碳化硅（SiC）作為 GaN的襯底，能實現較低的熱膨脹、較低的晶格失配，以及出色的熱導率，進而充分發揮GaN 的特性。
單片微波集成電路（MMIC）能將多個元件的完整功能模塊制造在單個設備中，進而提高電路密度。
制造商: Infineon
產品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅動器
RoHS: 詳細信息
封裝 / 箱體: SSOP-24
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: TLE8088
商標: Infineon Technologies
濕度敏感性: Yes
產品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
零件號別名: TLE8088EM SP000685716
單位重量: 150.400 mg
放大器擁有三級增益，能夠提供大于 30dB 的大信號增益和大于 50% 的效率，能夠滿足更低的系統直流功率要求，并為簡化系統熱管理解決方案提供支持。
GaNMMIC是CMPA9396025S其能夠集成諸多技術，帶來SWaP-C 改進的最大化。
該三級器件針對9.3-GHz 至 9.6-GHz工作而設計，采用 6 × 6mmQFN 封裝，在 100-μs 脈沖寬度、占空比為 10% 條件下的功率為 25W。
其輸出典型值高達 40W，大信號增益大于 20dB，功率附加效率達 40%。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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公網安備44030402000607
