簡易的紅外激光投影儀與標準CMOS圖像傳感器相結合
發布時間:2021/7/26 13:29:42 訪問次數:326
可以向具有資質的客戶提供IGN1011S3600 100V射頻氮化鎵/碳化硅產品的樣品。
ILT開發套件(DK-ILT001)將簡易的紅外激光投影儀與標準CMOS圖像傳感器相結合，以每秒600多幀(FPS)的速度實現3D成像，或使用簡單的Raspberry Pi主機達到最高120 FPS的成像速度。
LEMO B系列為市場帶來模塊化、符合人體工程學、堅固耐用且可靠的圓形多芯連接器，適用于需要快速、安全的插拔自鎖應用。這使該系列成為測試和測量、儀器儀表、醫療設備、研究和音頻/視頻應用的理想選擇。
制造商:STMicroelectronics 產品種類:電源開關 IC - 配電 類型:High Side 輸出端數量:2 Output 電流限制:30 A 導通電阻—最大值:100 mOhms 運行時間—最大值:120 us 空閑時間—最大值:100 us 工作電源電壓:13 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerSSO-16 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產品:Load Switches 商標:STMicroelectronics 濕度敏感性:Yes 產品類型:Power Switch ICs - Power Distribution 工廠包裝數量2500 子類別:Switch ICs 電源電壓-最大:28 V 電源電壓-最小:4 V 單位重量:150 mg
單個封裝的50V氮化鎵晶體管相比，可以提供約為其兩倍的功率，因此可以去除大量的合成器和相關的電子電路，從而縮小系統體積，減輕重量和降低成本，同時提高系統效率。
Integra的首款100V射頻氮化鎵產品是IGN1011S3600，專為航空電子應用而設計。IGN1011S3600輸出功率為3.6千瓦，增益19dB，效率70%，在業界領先。
IGN1011S3600基于Integra的100V射頻氮化鎵技術，對于需要改進尺寸、重量、功率和成本(SWAP-C)的項目來說，是一款極具吸引力的解決方案。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
可以向具有資質的客戶提供IGN1011S3600 100V射頻氮化鎵/碳化硅產品的樣品。
ILT開發套件(DK-ILT001)將簡易的紅外激光投影儀與標準CMOS圖像傳感器相結合，以每秒600多幀(FPS)的速度實現3D成像，或使用簡單的Raspberry Pi主機達到最高120 FPS的成像速度。
LEMO B系列為市場帶來模塊化、符合人體工程學、堅固耐用且可靠的圓形多芯連接器，適用于需要快速、安全的插拔自鎖應用。這使該系列成為測試和測量、儀器儀表、醫療設備、研究和音頻/視頻應用的理想選擇。
制造商:STMicroelectronics 產品種類:電源開關 IC - 配電 類型:High Side 輸出端數量:2 Output 電流限制:30 A 導通電阻—最大值:100 mOhms 運行時間—最大值:120 us 空閑時間—最大值:100 us 工作電源電壓:13 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerSSO-16 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產品:Load Switches 商標:STMicroelectronics 濕度敏感性:Yes 產品類型:Power Switch ICs - Power Distribution 工廠包裝數量2500 子類別:Switch ICs 電源電壓-最大:28 V 電源電壓-最小:4 V 單位重量:150 mg
單個封裝的50V氮化鎵晶體管相比，可以提供約為其兩倍的功率，因此可以去除大量的合成器和相關的電子電路，從而縮小系統體積，減輕重量和降低成本，同時提高系統效率。
Integra的首款100V射頻氮化鎵產品是IGN1011S3600，專為航空電子應用而設計。IGN1011S3600輸出功率為3.6千瓦，增益19dB，效率70%，在業界領先。
IGN1011S3600基于Integra的100V射頻氮化鎵技術，對于需要改進尺寸、重量、功率和成本(SWAP-C)的項目來說，是一款極具吸引力的解決方案。
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