額定紋波電流值達到產品的1.25倍減少設計新系統時成本和風險
發布時間:2021/7/27 8:55:57 訪問次數:133
全以太網基礎設施通過使用常見的通信和安全機制來簡化架構,減少設計新系統時的成本和風險。
以太網其他優勢包括使用獨立于物理層速度的相同協議,并在已建立安全基礎設施和生態系統內運行。
Microchip的10Base-T1S技術為我們的終端到云端整合提供了優勢,以更簡單、更經濟的方式連接產品、控制系統、軟件和服務。
這項技術將有助于充分利用我們的能源和資源,促進相關各方的進步和可持續發展。
制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術:Si安裝風格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220-3晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:800 VId-連續漏極電流:8 ARds On-漏源導通電阻:560 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.1 VQg-柵極電荷:45 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:40 W通道模式:Enhancement商標名:CoolMOS封裝:Tube配置:Single高度:16.15 mm長度:10.65 mm系列:CoolMOS C3晶體管類型:1 N-Channel寬度:4.85 mm商標:Infineon Technologies下降時間:10 ns產品類型:MOSFET上升時間:15 ns工廠包裝數量:500子類別:MOSFETs典型關閉延遲時間:72 ns典型接通延遲時間:25 ns零件號別名:SPA8N8C3XK SP000216310 SPA08N80C3XKSA1單位重量:2 g
片上實時Arm® Cortex® R7 CPU,無需外部車輛控制器與瑞薩PMIC相搭配,從而降低總體BOM成本.
“GYE系列”(125℃ 4000小時保證)、“GYE系列”(150℃ 1000小時保證)等導電性高分子混合鋁電解電容器,并且向車載、工業設備和通信領域等要求高可靠性的市場提出了解決方案。
保持“GYE系列”現有產品的高可控性特長,保證了125℃4000小時的耐高溫和長壽命,在耐濕性方面也保證了85℃ 85%RH.2000小時。
不僅如此,額定紋波電流值最高可達到現有產品的1.25倍。
全以太網基礎設施通過使用常見的通信和安全機制來簡化架構,減少設計新系統時的成本和風險。
以太網其他優勢包括使用獨立于物理層速度的相同協議,并在已建立安全基礎設施和生態系統內運行。
Microchip的10Base-T1S技術為我們的終端到云端整合提供了優勢,以更簡單、更經濟的方式連接產品、控制系統、軟件和服務。
這項技術將有助于充分利用我們的能源和資源,促進相關各方的進步和可持續發展。
制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術:Si安裝風格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220-3晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:800 VId-連續漏極電流:8 ARds On-漏源導通電阻:560 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.1 VQg-柵極電荷:45 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:40 W通道模式:Enhancement商標名:CoolMOS封裝:Tube配置:Single高度:16.15 mm長度:10.65 mm系列:CoolMOS C3晶體管類型:1 N-Channel寬度:4.85 mm商標:Infineon Technologies下降時間:10 ns產品類型:MOSFET上升時間:15 ns工廠包裝數量:500子類別:MOSFETs典型關閉延遲時間:72 ns典型接通延遲時間:25 ns零件號別名:SPA8N8C3XK SP000216310 SPA08N80C3XKSA1單位重量:2 g
片上實時Arm® Cortex® R7 CPU,無需外部車輛控制器與瑞薩PMIC相搭配,從而降低總體BOM成本.
“GYE系列”(125℃ 4000小時保證)、“GYE系列”(150℃ 1000小時保證)等導電性高分子混合鋁電解電容器,并且向車載、工業設備和通信領域等要求高可靠性的市場提出了解決方案。
保持“GYE系列”現有產品的高可控性特長,保證了125℃4000小時的耐高溫和長壽命,在耐濕性方面也保證了85℃ 85%RH.2000小時。
不僅如此,額定紋波電流值最高可達到現有產品的1.25倍。