高容量抗輻射（RadTol）NOR閃存產品，該產品通過了MIL-PRF-38535 QML-V流程認證。QML-V流程是航天級IC的最高質量和可靠性標準認證。

英飛凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲器可帶來出色的低引腳數單芯片解決方案，適用于FPGA配置、圖像存儲、微控制器數據和引導代碼存儲等應用場合。

在更高時鐘速率下使用時，器件支持的數據傳輸可媲美或超越傳統的并行異步NOR閃存，同時顯著減少引腳數。

制造商: Infineon

產品種類: IGBT 晶體管

技術: Si

封裝 / 箱體: TO-220-3

安裝風格: Through Hole

配置: Single

集電極—發射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.65 V

柵極/發射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續集電極電流: 18 A

Pd-功率耗散: 70 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP 5 H5

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

柵極—射極漏泄電流: 100 nA

產品類型: IGBT Transistors

工廠包裝數量: 500

子類別: IGBTs

商標名: TRENCHSTOP

零件號別名: SP001001716 IKP08N65H5XKSA1

單位重量: 2.030 g

NanEyeM還擁有高達49fps（幀/秒）的幀率，可在各種標準接口上實現流暢、低延遲的顯示，同時保持低功耗。圖像傳感器像素靈敏度高，這意味著需要較少的照明。

有助于控制設備尖端的發熱。該模組配有一條適用電纜，可根據客戶要求定制，長度可達3米。自身附帶的電纜可確保其與內窺鏡設備順暢無縫的整合。可在尖端補充LED光源。

得益于數字LVDS串行接口，該攝像頭具備高信噪比（SNR）。因此，它能夠在不損失信號完整性或不增加噪聲的情況下通過長距離的電纜傳輸圖像。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）