Integra 100V射頻氮化鎵技術將徹底重新定義高功率射頻系統的可能性。

此項技術與單個封裝的50V氮化鎵晶體管相比，可以提供約為其兩倍的功率，因此可以去除大量的合成器和相關的電子電路，從而縮小系統體積，減輕重量和降低成本，同時提高系統效率。

IGN1011S3600基于Integra的100V射頻氮化鎵技術，對于需要改進尺寸、重量、功率和成本(SWAP-C)的項目來說，是一款極具吸引力的解決方案。

可以向具有資質的客戶提供IGN1011S3600 100V射頻氮化鎵/碳化硅產品的樣品。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導通電阻: 1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V

Qg-柵極電荷: 310 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 100 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 30 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 120 ns

典型接通延遲時間: 25 ns

零件號別名: IPB180N04S4L-H0 SP000979636

單位重量: 1.600 g

電力傳輸（PD）功能的USB Type-C®和開源軟件是引領下一波有線連接潮流兩種技術。

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(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）