65nm浮柵閃存工藝技術器件耐久性達到1000次編程/擦除周期
發布時間:2021/8/1 15:06:40 訪問次數:312
抗輻射性能高達30krad（Si）偏置和125krad（Si）無偏置。
在125°C時，這款器件耐久性達到1000次編程/擦除周期，數據保留期限為30年，在85°C時可達到1萬次編程/擦除周期，數據保留期限為250年。
65 nm浮柵閃存工藝技術開發出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。
512Mb器件包括兩個獨立的256Mb裸片,它們采用單個封裝解決方案并排裝配。
制造商:Texas Instruments產品種類:電流和電力監控器、調節器RoHS: 產品:Current Monitors感應方式:High Side電源電壓-最大:36 V電源電壓-最小:2.7 V工作電源電流:60 uA準確性:0.5 %最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-5封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel帶寬:800 kHz特點:Analog Output系列:商標:Texas Instruments增益:1 V/V to 100 V/V輸入電壓范圍:2.7 V to 36 VIb - 輸入偏流:2 uA濕度敏感性:Yes工作電源電壓:2.7 V to 36 V產品類型:Current & Power Monitors & Regulators3000子類別:PMIC - Power Management ICsVos - 輸入偏置電壓 :1 mV單位重量:770 mg
作為航天級存儲器產品的領導者，英飛凌利用65 nm浮柵閃存工藝技術開發出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。
133MHz SDR接口速度,512Mb器件包括兩個獨立的256Mb裸片,它們采用單個封裝解決方案并排裝配。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
抗輻射性能高達30krad（Si）偏置和125krad（Si）無偏置。
在125°C時，這款器件耐久性達到1000次編程/擦除周期，數據保留期限為30年，在85°C時可達到1萬次編程/擦除周期，數據保留期限為250年。
65 nm浮柵閃存工藝技術開發出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。
512Mb器件包括兩個獨立的256Mb裸片,它們采用單個封裝解決方案并排裝配。
制造商:Texas Instruments產品種類:電流和電力監控器、調節器RoHS: 產品:Current Monitors感應方式:High Side電源電壓-最大:36 V電源電壓-最小:2.7 V工作電源電流:60 uA準確性:0.5 %最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-5封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel帶寬:800 kHz特點:Analog Output系列:商標:Texas Instruments增益:1 V/V to 100 V/V輸入電壓范圍:2.7 V to 36 VIb - 輸入偏流:2 uA濕度敏感性:Yes工作電源電壓:2.7 V to 36 V產品類型:Current & Power Monitors & Regulators3000子類別:PMIC - Power Management ICsVos - 輸入偏置電壓 :1 mV單位重量:770 mg
作為航天級存儲器產品的領導者，英飛凌利用65 nm浮柵閃存工藝技術開發出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。
133MHz SDR接口速度,512Mb器件包括兩個獨立的256Mb裸片,它們采用單個封裝解決方案并排裝配。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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公網安備44030402000607
