天線測量以及在高達110 GHz高頻下運行的小型設備的射頻特征
發布時間:2021/8/3 19:49:03 訪問次數:212
SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉換器、DC/DC轉換器、開關柜拓撲結構、OR-ring FET低邊開關，以及服務器、通信和RF設備電源的負載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓撲結構的性能，簡化設計人員兩種電路的器件選擇。
器件經過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
微型緊湊天線測量系統系列的最新產品CR-M8。該產品特別適用于天線測量以及在高達110 GHz高頻下運行的小型設備的射頻特征。
在具有同等功能的小尺寸產品中，IC溫度接近100℃，因此需要采取散熱措施（通過外置散熱器和MOSFET來分散熱量）.
ROHM新產品的工作效率高達90%（輸出電流為3A時），并采用散熱性能出色的封裝，工作時的發熱溫度僅為65℃左右，因此客戶無需采取散熱措施，從而有助于提高應用的可靠性。
與具有同等性能的普通產品（6.0mm×4.0mm×0.8mm）相比，尺寸減少約60%，而且還可以減少外圍部件的數量。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉換器、DC/DC轉換器、開關柜拓撲結構、OR-ring FET低邊開關，以及服務器、通信和RF設備電源的負載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓撲結構的性能，簡化設計人員兩種電路的器件選擇。
器件經過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
微型緊湊天線測量系統系列的最新產品CR-M8。該產品特別適用于天線測量以及在高達110 GHz高頻下運行的小型設備的射頻特征。
在具有同等功能的小尺寸產品中，IC溫度接近100℃，因此需要采取散熱措施（通過外置散熱器和MOSFET來分散熱量）.
ROHM新產品的工作效率高達90%（輸出電流為3A時），并采用散熱性能出色的封裝，工作時的發熱溫度僅為65℃左右，因此客戶無需采取散熱措施，從而有助于提高應用的可靠性。
與具有同等性能的普通產品（6.0mm×4.0mm×0.8mm）相比，尺寸減少約60%，而且還可以減少外圍部件的數量。
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