2A至5A很寬的輸出電流范圍內實現高達85%的功率轉換效率
發布時間:2021/8/3 19:52:00 訪問次數:958
新產品是非隔離型*3DC/DC轉換器IC，利用ROHM擅長的模擬設計技術開發而成，采用電源系統的BiCDMOS高耐壓工藝，可提供先進工業設備所需的電源功能。
通過調整振蕩頻率以抑制特定頻率（如2.2MHz或以上）產生的噪音波峰的技術。
InnoSwitch4-CZ IC提供輸出恒壓恒流點可調的輸出特性，非常適合于高效緊湊型USB-PD適配器、高達110W的高功率密度反激設計以及高效的恒壓/恒流電源應用。
在輸出出現過壓、欠壓的情況下，新器件會進入自動重啟動或鎖存狀態的故障保護模式。
制造商:ROHM Semiconductor 產品種類:雙極晶體管 - 預偏置 配置:Dual 晶體管極性:PNP 典型輸入電阻器:10 kOhms 典型電阻器比率:1 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UMT-6 直流集電極/Base Gain hfe Min:20 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 50 V 集電極連續電流:- 100 mA 峰值直流集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:150 mW 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:30 高度:0.9 mm 長度:2 mm 寬度:1.25 mm 商標:ROHM Semiconductor 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數量3000 子類別:Transistors 零件號別名:UMB11N 單位重量:32 mg
BD9G500EFJ-LA不僅具有80V的高耐壓性能，而且還實現了在耐壓60V以上的DC/DC轉換器IC中超高的5A最大輸出電流。
通過安裝AI和IoT功能來提高性能的工業設備，以及配備更多功能的設備的小型化。
通過內置低損耗MOSFET，雖為非同步整流，卻仍可在2A至5A很寬的輸出電流范圍內實現高達85%的功率轉換效率，更加節能。
SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%，從而降低導通和開關損耗，節省功率轉換應用的能源。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
新產品是非隔離型*3DC/DC轉換器IC，利用ROHM擅長的模擬設計技術開發而成，采用電源系統的BiCDMOS高耐壓工藝，可提供先進工業設備所需的電源功能。
通過調整振蕩頻率以抑制特定頻率（如2.2MHz或以上）產生的噪音波峰的技術。
InnoSwitch4-CZ IC提供輸出恒壓恒流點可調的輸出特性，非常適合于高效緊湊型USB-PD適配器、高達110W的高功率密度反激設計以及高效的恒壓/恒流電源應用。
在輸出出現過壓、欠壓的情況下，新器件會進入自動重啟動或鎖存狀態的故障保護模式。
制造商:ROHM Semiconductor 產品種類:雙極晶體管 - 預偏置 配置:Dual 晶體管極性:PNP 典型輸入電阻器:10 kOhms 典型電阻器比率:1 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UMT-6 直流集電極/Base Gain hfe Min:20 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 50 V 集電極連續電流:- 100 mA 峰值直流集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:150 mW 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:30 高度:0.9 mm 長度:2 mm 寬度:1.25 mm 商標:ROHM Semiconductor 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數量3000 子類別:Transistors 零件號別名:UMB11N 單位重量:32 mg
BD9G500EFJ-LA不僅具有80V的高耐壓性能，而且還實現了在耐壓60V以上的DC/DC轉換器IC中超高的5A最大輸出電流。
通過安裝AI和IoT功能來提高性能的工業設備，以及配備更多功能的設備的小型化。
通過內置低損耗MOSFET，雖為非同步整流，卻仍可在2A至5A很寬的輸出電流范圍內實現高達85%的功率轉換效率，更加節能。
SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%，從而降低導通和開關損耗，節省功率轉換應用的能源。
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