無論通過何種接口（如模擬、SAE J2716 SENT、PWM、I2C）,3DMAG傳感器均通過傳感器輸出支持靈活的低壓編程，從而允許嵌入式設計中通過微控制器直接編程,簡化生產線末端系統校準的接口限制。

這些最新FET由于具備快速開關能力，再加上銀燒結技術帶來的卓越散熱性能，我們將能夠繼續為電源設計人員帶來性能、可靠性、尺寸和布局等方面的優勢。

低功耗和強大電源管理選項有助于延長和優化電池使用壽命。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導通電阻: 5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 170 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 30 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 31 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 59 ns

典型接通延遲時間: 21 ns

零件號別名: IPB100N06S2-05 SP001067896

單位重量: 4 g

多功能位置感測解決方案,自動駕駛、車輛電氣化和工業4.0等領域的新發展趨勢使許多系統在封裝、性能和功率等方面遇到瓶頸，包括新型A31315在內的多功能3DMAG傳感器能夠通過簡化系統集成來克服這些限制，同時使客戶達到嚴格的精度要求。

這些傳感器的多種可編程通道調整和線性化選項可根據磁路輕松調整，以針對具體應用在生產線末端編程時優化準確性和制造效率。

3DMAG傳感器還可提供低功耗和靈活的電源管理選項，進而可優化移動應用中的電池使用壽命。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）