金升陽自主研發芯片與同類型其他芯片在性能相當前提下，價格更低，性價比更高。

經濟型電源產品滿足IEC/UL/EN62368及DOSA標準，工作溫度范圍寬至-40℃ to +100℃，具有優良的溫度降額曲線，隔離電壓為1500VDC，紋波噪聲低至100mV，輸出效率高達93%。

輕載（10%）效率高達85%，空載損耗低至0.96W，可大幅降低客戶系統待機功耗。

除此之外，此系列產品所有器件均涂覆三防漆，保護線路板免受壞境的侵蝕,具有輸入欠壓保護、過流、短路等保護功能，可有效防止客戶系統或設備工作異常造成不必要的損失。

制造商: Texas Instruments

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續漏極電流: 187 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 78 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商標名: NexFET

封裝: Tube

配置: Single

高度: 16.51 mm

長度: 10.67 mm

系列: CSD19535KCS

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.7 mm

商標: Texas Instruments

正向跨導 - 最小值: 274 S

下降時間: 5 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 15 ns

工廠包裝數量: 50

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 60 ns

典型接通延遲時間: 32 ns

單位重量: 2 g

產品特點

效率高達95%

空載輸入電流低至0.2mA

工作溫度范圍：-40℃ to +85℃

可持續短路保護

超小體積

SIP系列支持負輸出

自動化程度高

滿足EN 62368標準（認證中）

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）