電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備Primo Twin-Star的刻蝕應用
發布時間:2021/8/9 22:58:08 訪問次數:384
DDR5的產品發布,涉及兩款全新架構產品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。
Longsys DRAM研發經過多年的潛心積累,在DDR5新一代產品上率先開展測試技術投入,此次測試特別選取了部分測試數據首次面向公眾開放。
Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發板,搭配Longsys DDR5 32GB 4800內存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統,分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數據。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 開關穩壓器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WSON-10
拓撲結構: Boost, Buck
輸出電壓: 1.8 V to 5 V
輸出電流: 400 mA
輸出端數量: 1 Output
最大輸入電壓: 5.5 V
最小輸入電壓: 1.8 V
靜態電流: 1 uA
開關頻率: Adjustable
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: TPS63900
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標: Texas Instruments
關閉: Shutdown
產品類型: Switching Voltage Regulators
工廠包裝數量: 3000
子類別: PMIC - Power Management ICs
電源電壓-最小: 1.8 V
新一代電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備Primo Twin-Star®,用于IC器件前道和后道制程導電/電介質膜的刻蝕應用。
單臺反應器的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術和雙臺反應器的Primo平臺,Primo Twin-Star®為電介質前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。
DDR5 SDRAM內存標準規范后,DDR5新技術應用受到業內的關注以及專業領域的探索。緊跟存儲技術發展前沿,為了滿足行業的專業人士以及廣大用戶對未來產品技術發展的期望,進而為存儲行業應用的未來提供更多可能性,在今天正式發布Longsys DDR5內存模組產品(ES1)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
DDR5的產品發布,涉及兩款全新架構產品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。
Longsys DRAM研發經過多年的潛心積累,在DDR5新一代產品上率先開展測試技術投入,此次測試特別選取了部分測試數據首次面向公眾開放。
Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發板,搭配Longsys DDR5 32GB 4800內存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統,分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數據。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 開關穩壓器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WSON-10
拓撲結構: Boost, Buck
輸出電壓: 1.8 V to 5 V
輸出電流: 400 mA
輸出端數量: 1 Output
最大輸入電壓: 5.5 V
最小輸入電壓: 1.8 V
靜態電流: 1 uA
開關頻率: Adjustable
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: TPS63900
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標: Texas Instruments
關閉: Shutdown
產品類型: Switching Voltage Regulators
工廠包裝數量: 3000
子類別: PMIC - Power Management ICs
電源電壓-最小: 1.8 V
新一代電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備Primo Twin-Star®,用于IC器件前道和后道制程導電/電介質膜的刻蝕應用。
單臺反應器的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術和雙臺反應器的Primo平臺,Primo Twin-Star®為電介質前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。
DDR5 SDRAM內存標準規范后,DDR5新技術應用受到業內的關注以及專業領域的探索。緊跟存儲技術發展前沿,為了滿足行業的專業人士以及廣大用戶對未來產品技術發展的期望,進而為存儲行業應用的未來提供更多可能性,在今天正式發布Longsys DDR5內存模組產品(ES1)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)