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電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備Primo Twin-Star的刻蝕應用

發布時間:2021/8/9 22:58:08 訪問次數:384

DDR5的產品發布,涉及兩款全新架構產品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。

Longsys DRAM研發經過多年的潛心積累,在DDR5新一代產品上率先開展測試技術投入,此次測試特別選取了部分測試數據首次面向公眾開放。

Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發板,搭配Longsys DDR5 32GB 4800內存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統,分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數據。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 開關穩壓器

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: WSON-10

拓撲結構: Boost, Buck

輸出電壓: 1.8 V to 5 V

輸出電流: 400 mA

輸出端數量: 1 Output

最大輸入電壓: 5.5 V

最小輸入電壓: 1.8 V

靜態電流: 1 uA

開關頻率: Adjustable

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

系列: TPS63900

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

商標: Texas Instruments

關閉: Shutdown

產品類型: Switching Voltage Regulators

工廠包裝數量: 3000

子類別: PMIC - Power Management ICs

電源電壓-最小: 1.8 V

新一代電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備Primo Twin-Star®,用于IC器件前道和后道制程導電/電介質膜的刻蝕應用。

單臺反應器的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術和雙臺反應器的Primo平臺,Primo Twin-Star®為電介質前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。

DDR5 SDRAM內存標準規范后,DDR5新技術應用受到業內的關注以及專業領域的探索。

緊跟存儲技術發展前沿,為了滿足行業的專業人士以及廣大用戶對未來產品技術發展的期望,進而為存儲行業應用的未來提供更多可能性,在今天正式發布Longsys DDR5內存模組產品(ES1)。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

DDR5的產品發布,涉及兩款全新架構產品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。

Longsys DRAM研發經過多年的潛心積累,在DDR5新一代產品上率先開展測試技術投入,此次測試特別選取了部分測試數據首次面向公眾開放。

Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發板,搭配Longsys DDR5 32GB 4800內存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統,分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數據。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 開關穩壓器

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: WSON-10

拓撲結構: Boost, Buck

輸出電壓: 1.8 V to 5 V

輸出電流: 400 mA

輸出端數量: 1 Output

最大輸入電壓: 5.5 V

最小輸入電壓: 1.8 V

靜態電流: 1 uA

開關頻率: Adjustable

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

系列: TPS63900

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

商標: Texas Instruments

關閉: Shutdown

產品類型: Switching Voltage Regulators

工廠包裝數量: 3000

子類別: PMIC - Power Management ICs

電源電壓-最小: 1.8 V

新一代電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備Primo Twin-Star®,用于IC器件前道和后道制程導電/電介質膜的刻蝕應用。

單臺反應器的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術和雙臺反應器的Primo平臺,Primo Twin-Star®為電介質前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。

DDR5 SDRAM內存標準規范后,DDR5新技術應用受到業內的關注以及專業領域的探索。

緊跟存儲技術發展前沿,為了滿足行業的專業人士以及廣大用戶對未來產品技術發展的期望,進而為存儲行業應用的未來提供更多可能性,在今天正式發布Longsys DDR5內存模組產品(ES1)。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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