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快速變化與寄生電感共同作用產生負電壓峰值實現快速打開

發布時間:2021/8/10 8:30:38 訪問次數:280

以PFC拓撲為例,低邊驅動器用在控制芯片與功率MOSFET之間,以幫助減小開關損耗,并為MOSFET提供足夠的驅動電流,以跨過米勒平臺區域,實現快速打開。

在開關MOSFET的時候,有一個高di/dt的脈沖產生,這種快速變化與寄生電感共同作用,產生了負電壓峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。Lss代表寄生電感。

寄生電感值約等于功率MOSFET的內部鍵合線和PCB回線接地回路中的電感量之和,其值可以從幾nH至十幾nH不等,寄生電感大小主要取決于PCB布局布線。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 數模轉換器- DAC

RoHS:  詳細信息

系列: DAC715

分辨率: 16 bit

采樣比: 100 kS/s

通道數量: 1 Channel

接口類型: Parallel

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: PDIP-28

封裝: Tube

高度: 4.57 mm

轉換器數量: 1 Converter

結構: R-2R

商標: Texas Instruments

產品類型: DACs - Digital to Analog Converters

工廠包裝數量: 13

子類別: Data Converter ICs

單位重量: 2.064 g

地彈電壓會造成驅動器輸入端等效出現負電壓,因為內部等效體二極管,大多數柵極驅動器能夠承受一定的負壓脈沖。亦有必要采取預防措施,以防止驅動器輸入端的過沖和欠壓尖峰過大,而對驅動芯片造成損壞,或產生誤動作。


一旦確定了選用某種開關電源方案后,接下來就要選擇合適的驅動IC,而選好驅動芯片.

負向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。在典型的低邊柵極驅動電路中,雖然控制器和功率MOSFET使用同一個直流地平面作為參考,由于驅動器和控制器有一定距離,所以總會存在寄生電感。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


以PFC拓撲為例,低邊驅動器用在控制芯片與功率MOSFET之間,以幫助減小開關損耗,并為MOSFET提供足夠的驅動電流,以跨過米勒平臺區域,實現快速打開。

在開關MOSFET的時候,有一個高di/dt的脈沖產生,這種快速變化與寄生電感共同作用,產生了負電壓峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。Lss代表寄生電感。

寄生電感值約等于功率MOSFET的內部鍵合線和PCB回線接地回路中的電感量之和,其值可以從幾nH至十幾nH不等,寄生電感大小主要取決于PCB布局布線。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 數模轉換器- DAC

RoHS:  詳細信息

系列: DAC715

分辨率: 16 bit

采樣比: 100 kS/s

通道數量: 1 Channel

接口類型: Parallel

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: PDIP-28

封裝: Tube

高度: 4.57 mm

轉換器數量: 1 Converter

結構: R-2R

商標: Texas Instruments

產品類型: DACs - Digital to Analog Converters

工廠包裝數量: 13

子類別: Data Converter ICs

單位重量: 2.064 g

地彈電壓會造成驅動器輸入端等效出現負電壓,因為內部等效體二極管,大多數柵極驅動器能夠承受一定的負壓脈沖。亦有必要采取預防措施,以防止驅動器輸入端的過沖和欠壓尖峰過大,而對驅動芯片造成損壞,或產生誤動作。


一旦確定了選用某種開關電源方案后,接下來就要選擇合適的驅動IC,而選好驅動芯片.

負向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。在典型的低邊柵極驅動電路中,雖然控制器和功率MOSFET使用同一個直流地平面作為參考,由于驅動器和控制器有一定距離,所以總會存在寄生電感。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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