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3.3V邏輯電路來控制能夠在超過100 MHz的超高頻率

發布時間:2021/8/12 8:16:54 訪問次數:391

氮化鎵(GaN)集成電路(IC)系列,實現性能更高、更小巧且采用飛行時間(ToF)技術的激光雷達應用,包括機器人、無人機、3D傳感器和自動駕駛汽車等應用。

EPC21601采用3.3 V邏輯電路來控制,能夠在超過100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下,調制并實現高達10 A的激光驅動電流。

由于外形小巧且集成了多個功能,因此與采用等效的多芯片、分立器件的解決方案相比,其占板面積小36%。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 總線收發器

RoHS:  詳細信息

邏輯系列: FCT

輸入電平: TTL

輸出電平: TTL

輸出類型: 3-State

高電平輸出電流: - 24 mA

低電平輸出電流: 24 mA

傳播延遲時間: 5.1 ns

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 4.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝 / 箱體: SSOP-56

封裝: Tube

功能: 16-Bit Latched Transceiver

高度: 2.59 mm

長度: 18.41 mm

電路數量: 2

工作溫度范圍: - 40 C to + 85 C

產品: Registered Transceiver

靜態電流: 5 uA

系列: CY74FCT162543T

技術: CMOS

寬度: 7.49 mm

商標: Texas Instruments

安裝風格: SMD/SMT

通道數量: 16

電源電流—最大值: 500 uA

工作電源電壓: 5 V

Pd-功率耗散: 1 W

極性: Non-Inverting

產品類型: Bus Transceivers

工廠包裝數量: 20

子類別: Logic ICs

單位重量: 694.800 mg


應用

用于軌道車輛的逆變器和轉換器

可再生能源發電系統

工業電機控制設備

特性

漏源額定電壓:VDSS=3300V

漏極額定電流:ID=800A雙通道

寬通道溫度范圍:Tch=175℃

低損耗:

Eon=250mJ(典型值)

Eoff=240mJ(典型值)

VDS(on)sense=1.6V(典型值)

低雜散電感:Ls=12nH(典型值)

高功率密度的小型iXPLV封裝


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

氮化鎵(GaN)集成電路(IC)系列,實現性能更高、更小巧且采用飛行時間(ToF)技術的激光雷達應用,包括機器人、無人機、3D傳感器和自動駕駛汽車等應用。

EPC21601采用3.3 V邏輯電路來控制,能夠在超過100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下,調制并實現高達10 A的激光驅動電流。

由于外形小巧且集成了多個功能,因此與采用等效的多芯片、分立器件的解決方案相比,其占板面積小36%。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 總線收發器

RoHS:  詳細信息

邏輯系列: FCT

輸入電平: TTL

輸出電平: TTL

輸出類型: 3-State

高電平輸出電流: - 24 mA

低電平輸出電流: 24 mA

傳播延遲時間: 5.1 ns

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 4.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝 / 箱體: SSOP-56

封裝: Tube

功能: 16-Bit Latched Transceiver

高度: 2.59 mm

長度: 18.41 mm

電路數量: 2

工作溫度范圍: - 40 C to + 85 C

產品: Registered Transceiver

靜態電流: 5 uA

系列: CY74FCT162543T

技術: CMOS

寬度: 7.49 mm

商標: Texas Instruments

安裝風格: SMD/SMT

通道數量: 16

電源電流—最大值: 500 uA

工作電源電壓: 5 V

Pd-功率耗散: 1 W

極性: Non-Inverting

產品類型: Bus Transceivers

工廠包裝數量: 20

子類別: Logic ICs

單位重量: 694.800 mg


應用

用于軌道車輛的逆變器和轉換器

可再生能源發電系統

工業電機控制設備

特性

漏源額定電壓:VDSS=3300V

漏極額定電流:ID=800A雙通道

寬通道溫度范圍:Tch=175℃

低損耗:

Eon=250mJ(典型值)

Eoff=240mJ(典型值)

VDS(on)sense=1.6V(典型值)

低雜散電感:Ls=12nH(典型值)

高功率密度的小型iXPLV封裝


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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