1SJ型LoRaWAN調制解調器模塊帶AT Command中間層堆棧
發布時間:2021/8/12 18:48:43 訪問次數:329
Murata“新的Type 1SJ LoRaWAN調制解調器模塊使設計人員能夠開發滿足最苛刻要求的產品,尤其是在資產跟蹤,公用事業,農業,智能城市,智能建筑,工業和其他IoT應用程序等領域。
通過與Semtech合作提供這項產品,我們利用兩家公司的領導力和專業知識來創建物聯網市場最需要的解決方案。
LoRaWAN為客戶提供可訪問且易于使用的解決方案,使他們能夠開發安全的,下一代和創新的物聯網應用。
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 14 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 39 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
零件號別名: SP000260848 IPB8N4S33XT IPB80N04S303ATMA1
單位重量: 4 g
1SJ型LoRaWAN調制解調器模塊基于第二代Semtech SX1262射頻IC(RFIC),預裝了AT Command控制的調制解調器固件和帶有AT Command中間層的LoRaWAN堆棧。
紋波電流能力高達9.80A (400 V/100 Hz@60°C),非常適合用于要求苛刻電力電子器件。
其最高工作溫度達105°C,額定電壓范圍為400 V至500 V,額定使用壽命長達3000小時,尺寸范圍為25 mm x 25 mm至35 mm x 55 mm(直徑x長),在額定電壓條件下的電容范圍為68 F至820F,并且可抵抗快速的充放電周期。
Murata“新的Type 1SJ LoRaWAN調制解調器模塊使設計人員能夠開發滿足最苛刻要求的產品,尤其是在資產跟蹤,公用事業,農業,智能城市,智能建筑,工業和其他IoT應用程序等領域。
通過與Semtech合作提供這項產品,我們利用兩家公司的領導力和專業知識來創建物聯網市場最需要的解決方案。
LoRaWAN為客戶提供可訪問且易于使用的解決方案,使他們能夠開發安全的,下一代和創新的物聯網應用。
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 14 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 39 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
零件號別名: SP000260848 IPB8N4S33XT IPB80N04S303ATMA1
單位重量: 4 g
1SJ型LoRaWAN調制解調器模塊基于第二代Semtech SX1262射頻IC(RFIC),預裝了AT Command控制的調制解調器固件和帶有AT Command中間層的LoRaWAN堆棧。
紋波電流能力高達9.80A (400 V/100 Hz@60°C),非常適合用于要求苛刻電力電子器件。
其最高工作溫度達105°C,額定電壓范圍為400 V至500 V,額定使用壽命長達3000小時,尺寸范圍為25 mm x 25 mm至35 mm x 55 mm(直徑x長),在額定電壓條件下的電容范圍為68 F至820F,并且可抵抗快速的充放電周期。