NCD57252雙通道IGBT/MOSFET門極驅動器提供5kV電隔離
發布時間:2021/8/2 0:28:25 訪問次數:682
NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構，是采用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳，是工業應用的理想選擇，且嵌入的一個負溫系數 (NTC) 熱敏電阻有助于溫度監測。
新的SiC MOSFET模塊是安森美半導體電動車充電生態系統的一部分，被設計為與NCD5700x器件等驅動器方案一起使用。
最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅動器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。
產品種類: RS-485接口IC
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
系列: SN65HVD74
工作電源電流: 1.1 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
ESD 保護: 12 kV
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: Texas Instruments
產品類型: RS-485 Interface IC
工廠包裝數量: 2500
子類別: Interface ICs
單位重量: 109.500 mg
它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度。
16位PI4IOE5V6416Q及 34 位PI4IOE5V6534Q雙向電壓電位轉換通用 I/O (GPIO) 擴充器。
這些符合汽車規格與取得 AEC-Q100 Grade 2 認證的雙電壓軌裝置，代表用于汽車業的首創之舉，透過 I2C 接口為新世代低電壓微處理器及微控制器，提供更強大的可編程 I/O。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構，是采用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳，是工業應用的理想選擇，且嵌入的一個負溫系數 (NTC) 熱敏電阻有助于溫度監測。
新的SiC MOSFET模塊是安森美半導體電動車充電生態系統的一部分，被設計為與NCD5700x器件等驅動器方案一起使用。
最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅動器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。
產品種類: RS-485接口IC
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
系列: SN65HVD74
工作電源電流: 1.1 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
ESD 保護: 12 kV
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: Texas Instruments
產品類型: RS-485 Interface IC
工廠包裝數量: 2500
子類別: Interface ICs
單位重量: 109.500 mg
它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度。
16位PI4IOE5V6416Q及 34 位PI4IOE5V6534Q雙向電壓電位轉換通用 I/O (GPIO) 擴充器。
這些符合汽車規格與取得 AEC-Q100 Grade 2 認證的雙電壓軌裝置，代表用于汽車業的首創之舉，透過 I2C 接口為新世代低電壓微處理器及微控制器，提供更強大的可編程 I/O。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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