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高壓應用優化的封裝高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm

發布時間:2021/8/16 13:11:30 訪問次數:348

GaN技術正在推進USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發展。

意法半導體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80%,減重70%,而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

內置保護功能包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅動器互鎖、專用關閉引腳和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應用優化的封裝,高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。

一個聯合解決方案,該方案經過預先調校,可為開發人員節省長達三個月的調校工作。

制造商:ON Semiconductor 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續漏極電流:6 A Rds On-漏源導通電阻:260 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶體管類型:1 P-Channel 商標:ON Semiconductor 產品類型:MOSFET 工廠包裝數量:1500 子類別:MOSFETs 單位重量:17 mg

多種產品選項

EGA2000系列提供兩種波長選擇:

850nm適用于需要高靈敏度的系統

每種波長選擇還提供三種發射角配置:

超寬FoI——適用于機器人避障和人數統計應用

寬FoI——適用于機器視覺系統,例如物流系統中的體積測量

窄FoI——適用于輪廓測量等應用場景,支持遠程測量


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

GaN技術正在推進USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發展。

意法半導體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80%,減重70%,而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

內置保護功能包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅動器互鎖、專用關閉引腳和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應用優化的封裝,高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。

一個聯合解決方案,該方案經過預先調校,可為開發人員節省長達三個月的調校工作。

制造商:ON Semiconductor 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續漏極電流:6 A Rds On-漏源導通電阻:260 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶體管類型:1 P-Channel 商標:ON Semiconductor 產品類型:MOSFET 工廠包裝數量:1500 子類別:MOSFETs 單位重量:17 mg

多種產品選項

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每種波長選擇還提供三種發射角配置:

超寬FoI——適用于機器人避障和人數統計應用

寬FoI——適用于機器視覺系統,例如物流系統中的體積測量

窄FoI——適用于輪廓測量等應用場景,支持遠程測量


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