電源管理芯片LPDDR4內存和eMMC存儲在可穿戴設備內的物理空間
發布時間:2021/8/24 23:18:06 訪問次數:585
新的可穿戴芯片組在CPU測試中比Exynos 9110快20%，并提供高達快10倍的圖形性能。Exynos W920的GPU可以處理高達qHD分辨率（960 x 540 像素）的顯示屏。
這款新的Exynos處理器采用了目前可穿戴設備領域中最小的封裝 —— 扇出型面板級封裝（FO-LP）。它包括 Exynos W920、電源管理芯片、LPDDR4 內存和 eMMC 存儲在同一個封裝中，以有效利用可穿戴設備內的物理空間。
這使得智能手表可以利用節省下來的空間來裝入更大的電池。
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VQFN-HR-9
拓撲結構: Buck
輸出電壓: 0.6 V to 5.5 V
輸出電流: 4 A
輸出端數量: 1 Output
最大輸入電壓: 5.5 V
最小輸入電壓: 2.4 V
靜態電流: 4 uA
開關頻率: 2.4 MHz
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: TPS62865
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
輸入電壓: 2.4 V to 5.5 V
類型: Synchronous Step-Down Converter
商標: Texas Instruments
關閉: Shutdown
開發套件: TPS62867EVM-121
濕度敏感性: Yes
產品類型: Switching Voltage Regulators
工廠包裝數量: 3000
子類別: PMIC - Power Management ICs
規范
功率容量：3W
標稱中心頻率：5370MHz
帶寬 (BW)：±470MHz
BW I插入損耗：0.55dB（最大值，+25°C時）
BW II插入損耗：0.65dB（最大值，-40°C至+85°C）
衰減（絕對值）：14dB（最小值，2400MHz至2500MHz）
VSWR：1.6（最大值）
工作溫度范圍：-40°C至+85°C
占位面積為0.65mm x 0.50mm，最大厚度為0.3mm
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
新的可穿戴芯片組在CPU測試中比Exynos 9110快20%，并提供高達快10倍的圖形性能。Exynos W920的GPU可以處理高達qHD分辨率（960 x 540 像素）的顯示屏。
這款新的Exynos處理器采用了目前可穿戴設備領域中最小的封裝 —— 扇出型面板級封裝（FO-LP）。它包括 Exynos W920、電源管理芯片、LPDDR4 內存和 eMMC 存儲在同一個封裝中，以有效利用可穿戴設備內的物理空間。
這使得智能手表可以利用節省下來的空間來裝入更大的電池。
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VQFN-HR-9
拓撲結構: Buck
輸出電壓: 0.6 V to 5.5 V
輸出電流: 4 A
輸出端數量: 1 Output
最大輸入電壓: 5.5 V
最小輸入電壓: 2.4 V
靜態電流: 4 uA
開關頻率: 2.4 MHz
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: TPS62865
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
輸入電壓: 2.4 V to 5.5 V
類型: Synchronous Step-Down Converter
商標: Texas Instruments
關閉: Shutdown
開發套件: TPS62867EVM-121
濕度敏感性: Yes
產品類型: Switching Voltage Regulators
工廠包裝數量: 3000
子類別: PMIC - Power Management ICs
規范
功率容量：3W
標稱中心頻率：5370MHz
帶寬 (BW)：±470MHz
BW I插入損耗：0.55dB（最大值，+25°C時）
BW II插入損耗：0.65dB（最大值，-40°C至+85°C）
衰減（絕對值）：14dB（最小值，2400MHz至2500MHz）
VSWR：1.6（最大值）
工作溫度范圍：-40°C至+85°C
占位面積為0.65mm x 0.50mm，最大厚度為0.3mm
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
