集成10A開關管的12.8V輸出大電流非同步DC-DC升壓IC
發布時間:2021/8/28 22:42:28 訪問次數:1209
升壓值13V以下的DC-DC升壓應用需求,推廣一款集成10A開關管的12.8V輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC:HT7180。
HT7180采用獨到的電路研發技術以及先進的半導體工藝制程,基于SOP8封裝,工作效率高達90%以上,無需外加散熱器,3.7V輸入升壓到12V,可穩定輸出2A電流。
HT7180是一款高功率非同步升壓轉換器,集成 22mΩ功率開關管,為便攜式系統提供高效的小尺寸解決方案。
制造商:Vishay 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續漏極電流:10.3 A Rds On-漏源導通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:27 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長度:6.15 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.15 mm 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導 - 最小值:26 S 下降時間:12 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:10 ns 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:25 ns 典型接通延遲時間:10 ns 零件號別名:SI7850DP-E3 單位重量:506.600 mg
PoE分離器則是將電源從以太網絡線分離,專門輸出電源給非PoE終端裝置。
第一代Type 1 PoE,定義為標準IEEE 802.3af,支持高達15.4W的功率預算,由PSE進行供電.之后的 802.3at Type-2標準,即PoE+,支持高達30W,且向下兼容Type 1 PD。
最新的802.3bt標準包括Type-3、PoE++(或UPoE)設備,最大功率預算為60W,以及100W Type-4設備。
這種配置大幅降低電纜中的功耗情況,使得更多的功率能夠到達 PD。此外還降低了允許的最小 PD 待機功率,提高對低能耗設計的支持。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
升壓值13V以下的DC-DC升壓應用需求,推廣一款集成10A開關管的12.8V輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC:HT7180。
HT7180采用獨到的電路研發技術以及先進的半導體工藝制程,基于SOP8封裝,工作效率高達90%以上,無需外加散熱器,3.7V輸入升壓到12V,可穩定輸出2A電流。
HT7180是一款高功率非同步升壓轉換器,集成 22mΩ功率開關管,為便攜式系統提供高效的小尺寸解決方案。
制造商:Vishay 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續漏極電流:10.3 A Rds On-漏源導通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:27 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長度:6.15 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.15 mm 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導 - 最小值:26 S 下降時間:12 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:10 ns 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:25 ns 典型接通延遲時間:10 ns 零件號別名:SI7850DP-E3 單位重量:506.600 mg
PoE分離器則是將電源從以太網絡線分離,專門輸出電源給非PoE終端裝置。
第一代Type 1 PoE,定義為標準IEEE 802.3af,支持高達15.4W的功率預算,由PSE進行供電.之后的 802.3at Type-2標準,即PoE+,支持高達30W,且向下兼容Type 1 PD。
最新的802.3bt標準包括Type-3、PoE++(或UPoE)設備,最大功率預算為60W,以及100W Type-4設備。
這種配置大幅降低電纜中的功耗情況,使得更多的功率能夠到達 PD。此外還降低了允許的最小 PD 待機功率,提高對低能耗設計的支持。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)