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4.5A源電流和9A沉峰值電流的隔離雙路柵極驅動器小型解決方案

發布時間:2021/8/28 23:22:59 訪問次數:1796

USB 和 PoE 等有線標準提供方便彈性的選擇,利用現成的 DC-DC 轉換器、穩壓器和保護裝置來克服電源方面的難題。

NCP51561是分別具有4.5A源電流和9A沉峰值電流的隔離雙路柵極驅動器,電流隔離為5 kVrms.

設計用來開速開關驅動功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶體管.器件提供短和匹配的傳輸時延.

從輸入到每個輸出的電流隔離為5 kVrms,而兩個輸出驅動器間的內部功能隔離允許工作電壓高達1500VDC.該驅動器可配置成兩個低邊,兩個高邊開關或帶可編死區時間的半橋驅動器.

制造商: Microchip

產品種類: 靜態隨機存取存儲器

RoHS: 詳細信息

存儲容量: 1 Mbit

組織: 128 k x 8

訪問時間: 25 ns

最大時鐘頻率: 20 MHz

接口類型: SDI, SPI

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 2.5 V

電源電流—最大值: 10 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

封裝: Tube

存儲類型: SDR

系列: 23LCV1024

類型: Synchronous

商標: Microchip Technology

濕度敏感性: Yes

產品類型: SRAM

工廠包裝數量: 100

子類別: Memory & Data Storage

單位重量: 540 mg

TPS543620是高效率4V-18V輸入6A同步SWIFT降壓轉換器,具有內部補償的固定頻率先進電流模式控制,開關頻率高達2.2MHz.器件是小型2.5-mmx3-mm HotRod VQFN封裝,和高效率和高昂頻率一起,使它最適合用在小型解決方案的地方.

其它特性還包括高精度基準電壓,可選擇軟起動時間,單調起動進入預偏壓輸出,可選擇電流限制,通過EN引腳可調UVLO和全套的故障保護.器件集成了25-mΩ和6.5-mΩ MOSFET,輸入電壓范圍4V到18V,輸出電壓0.5V到5.5V,三種可選擇PWM斜率,以優化控制回路性能.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

USB 和 PoE 等有線標準提供方便彈性的選擇,利用現成的 DC-DC 轉換器、穩壓器和保護裝置來克服電源方面的難題。

NCP51561是分別具有4.5A源電流和9A沉峰值電流的隔離雙路柵極驅動器,電流隔離為5 kVrms.

設計用來開速開關驅動功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶體管.器件提供短和匹配的傳輸時延.

從輸入到每個輸出的電流隔離為5 kVrms,而兩個輸出驅動器間的內部功能隔離允許工作電壓高達1500VDC.該驅動器可配置成兩個低邊,兩個高邊開關或帶可編死區時間的半橋驅動器.

制造商: Microchip

產品種類: 靜態隨機存取存儲器

RoHS: 詳細信息

存儲容量: 1 Mbit

組織: 128 k x 8

訪問時間: 25 ns

最大時鐘頻率: 20 MHz

接口類型: SDI, SPI

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 2.5 V

電源電流—最大值: 10 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

封裝: Tube

存儲類型: SDR

系列: 23LCV1024

類型: Synchronous

商標: Microchip Technology

濕度敏感性: Yes

產品類型: SRAM

工廠包裝數量: 100

子類別: Memory & Data Storage

單位重量: 540 mg

TPS543620是高效率4V-18V輸入6A同步SWIFT降壓轉換器,具有內部補償的固定頻率先進電流模式控制,開關頻率高達2.2MHz.器件是小型2.5-mmx3-mm HotRod VQFN封裝,和高效率和高昂頻率一起,使它最適合用在小型解決方案的地方.

其它特性還包括高精度基準電壓,可選擇軟起動時間,單調起動進入預偏壓輸出,可選擇電流限制,通過EN引腳可調UVLO和全套的故障保護.器件集成了25-mΩ和6.5-mΩ MOSFET,輸入電壓范圍4V到18V,輸出電壓0.5V到5.5V,三種可選擇PWM斜率,以優化控制回路性能.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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