LLC串聯諧振電路MOSFET的Vds放電過程分為四個階段，(I) 380V-300V; (II) 300V-200V; (III) 200V-100V; (IV)100V-0V。

(I)和(IV)兩部分占據了Vds放電時間的將近2/3，此時諧振腔的電感電流基本不變。

這兩部分之所以占據了Vds放電的大部分時間，主要原因在于當Vds下降到接近于0的時候，MOFET源漏間的寄生電容Coss會指數的增加。

因此要完全釋放掉這一部分的電荷，需要更長的LLC諧振周期和釋放時間。

制造商:    Texas Instruments    

產品種類:    隔離放大器    

RoHS:    詳細信息    

系列:    ISO122    

通道數量:    1 Channel    

絕緣電壓:    1.5 kVrms    

隔離類型:    Capacitive, Galvanic    

GBP-增益帶寬產品:    -    

3dB帶寬:    50 kHz    

CMRR - 共模抑制比:    140 dB    

Vos - 輸入偏置電壓 :    50 mV    

電源電壓-最大:    18 V    

電源電壓-最小:    4.5 V    

最小工作溫度:    - 25 C    

最大工作溫度:    + 85 C    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    SOIC-8    

封裝:    Tube    

放大器類型:   Isolation    

產品:   Isolation Amplifiers    

商標:   Texas Instruments    

增益誤差:   0.02 %    

濕度敏感性:   Yes    

工作電源電壓:   18 V    

產品類型:   Isolation Amplifiers    

工廠包裝數量:   20    

子類別:   Amplifier ICs    

單位重量:  2.200 g  

RA6M5 采用高效的40nm 工藝,可以滿足物聯網應用的需求,如以太網,面向未來應用的安全功能,大容量嵌入式 RAM和低功耗, 低至 107uA/MHz.

器件具有1MB - 2MB 閃存,448KB 支持奇偶校驗的 SRAM 和 64KB ECC SRAM.

工作電壓2.7V-3.6V,工作溫度-40Ｃ到+105Ｃ.主要用在有線以太網應用,需要增強安全功能的產品如火災探測,防盜檢測,面板控制,以及表計類產品(電力,自動抄表),工業應用如機器人,開門器,縫紉機,自動售貨機和UPS,HVAC和一般用途.

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