N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極
發布時間:2021/8/31 18:40:01 訪問次數:307
當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時,由于電場的作用,此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極,但由于氧化膜的阻擋,使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中,從而形成電流,使源極和漏極之間導通。
可以想像為兩個N型半導體之間為一條溝,柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁,該橋的大小由柵壓的大小決定。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。
制造商:Texas Instruments產品種類:LCD 驅動器RoHS: 系列:最大時鐘頻率:1.38 MHz工作電源電壓:1.8 V to 6 V電源電流—最大值:25 uAPd-功率耗散:3.3 W最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-24封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C產品:LCD Display Drivers商標:Texas Instruments濕度敏感性:Yes產品類型:LCD Drivers3000子類別:Driver ICs單位重量:45.400 mg
QCell技術的1600萬像素消費類系列智能手機應用Cellphone Sensor (CS) Series圖像傳感器產品——SC1600CS,該產品作為思特威成功量產的首顆1.0μm像素尺寸CIS,力求為智能手機前置攝像頭提供高品質的成像性能。
此次重磅發布的SC1600CS作為思特威首顆搭載QCell技術的高分辨率圖像傳感器,除16MP的影像模式外,更可支持4MP的QCell Bin影像輸出模式,能夠更好地適用于手機前置攝像頭對于圖像明亮度與色彩度的拍攝需求。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時,由于電場的作用,此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極,但由于氧化膜的阻擋,使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中,從而形成電流,使源極和漏極之間導通。
可以想像為兩個N型半導體之間為一條溝,柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁,該橋的大小由柵壓的大小決定。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。
制造商:Texas Instruments產品種類:LCD 驅動器RoHS: 系列:最大時鐘頻率:1.38 MHz工作電源電壓:1.8 V to 6 V電源電流—最大值:25 uAPd-功率耗散:3.3 W最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-24封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C產品:LCD Display Drivers商標:Texas Instruments濕度敏感性:Yes產品類型:LCD Drivers3000子類別:Driver ICs單位重量:45.400 mg
QCell技術的1600萬像素消費類系列智能手機應用Cellphone Sensor (CS) Series圖像傳感器產品——SC1600CS,該產品作為思特威成功量產的首顆1.0μm像素尺寸CIS,力求為智能手機前置攝像頭提供高品質的成像性能。
此次重磅發布的SC1600CS作為思特威首顆搭載QCell技術的高分辨率圖像傳感器,除16MP的影像模式外,更可支持4MP的QCell Bin影像輸出模式,能夠更好地適用于手機前置攝像頭對于圖像明亮度與色彩度的拍攝需求。
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