GaN寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發展進程新的標準
發布時間:2021/8/31 22:32:24 訪問次數:1759
連同面向 65W 至 400W 應用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，這兩款新產品為設計開關式電源、充電器、適配器、高壓功率因數校正 (PFC) 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 (GaN) 器件和驅動解決方案提供了更多的靈活性。
意法半導體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發展進程。
新產品集成兩個650V 功率晶體管與優化的高壓柵極驅動器和相關的安全保護電路，消除了柵極驅動器和電路布局設計挑戰。
制造商:Broadcom Limited產品種類:以太網 ICRoHS: 商標:Broadcom / Avago濕度敏感性:Yes產品類型:Ethernet ICs1子類別:Communication & Networking ICs單位重量:6.409 g制造商:Broadcom Limited產品種類:以太網 ICRoHS: 商標:Broadcom / Avago濕度敏感性:Yes產品類型:Ethernet ICs1子類別:Communication & Networking ICs單位重量:6.409 g
一系列車型將逐步獲得更多先進功能。雙方的合作計劃將從2021年第四季度上市的搭載Mobileye®SupervisionTM的極氪001車型開始。
搭載該系統的車輛預計在2023年全球首秀，屆時此項成果有望為全面的ADAS體驗帶來新的標準。
極氪對未來駕駛強有力的愿景，使其成為Mobileye理想的合作伙伴之一，通過加深緊密合作，雙方有望將ADAS的產品體驗提升到一個令人興奮的新高度。我們也期待能為消費市場帶來一款業界頂尖、具備全功能系統的高級駕駛輔助系統。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
連同面向 65W 至 400W 應用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，這兩款新產品為設計開關式電源、充電器、適配器、高壓功率因數校正 (PFC) 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 (GaN) 器件和驅動解決方案提供了更多的靈活性。
意法半導體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發展進程。
新產品集成兩個650V 功率晶體管與優化的高壓柵極驅動器和相關的安全保護電路，消除了柵極驅動器和電路布局設計挑戰。
制造商:Broadcom Limited產品種類:以太網 ICRoHS: 商標:Broadcom / Avago濕度敏感性:Yes產品類型:Ethernet ICs1子類別:Communication & Networking ICs單位重量:6.409 g制造商:Broadcom Limited產品種類:以太網 ICRoHS: 商標:Broadcom / Avago濕度敏感性:Yes產品類型:Ethernet ICs1子類別:Communication & Networking ICs單位重量:6.409 g
一系列車型將逐步獲得更多先進功能。雙方的合作計劃將從2021年第四季度上市的搭載Mobileye®SupervisionTM的極氪001車型開始。
搭載該系統的車輛預計在2023年全球首秀，屆時此項成果有望為全面的ADAS體驗帶來新的標準。
極氪對未來駕駛強有力的愿景，使其成為Mobileye理想的合作伙伴之一，通過加深緊密合作，雙方有望將ADAS的產品體驗提升到一個令人興奮的新高度。我們也期待能為消費市場帶來一款業界頂尖、具備全功能系統的高級駕駛輔助系統。
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