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硅通孔(TSV)布線STDRIVEG600半橋柵極驅動器輸出電流大

發布時間:2021/9/15 8:44:20 訪問次數:699

低功耗運行并實現高速度、低延遲、高時間分辨率的數據輸出外,這兩款傳感器還具有小尺寸但分辨率超高的特點。

集合所有這些優勢,以確保在不同環境和情況下立即檢測到移動對象。

相比此前的硅通孔(TSV)布線相比,這種方式提供了更高的設計自由度,提高了生產效率,有助于縮小尺寸并提高性能。

這兩款傳感器的像素部分與底部邏輯電路部分,使用銅焊盤進行電氣連接。

制造商:Hirose Electric產品種類:集管和線殼RoHS: 產品:Contacts端接類型:Crimp系列:最小工作溫度:- 35 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Reel封裝:Cut Tape商標:Hirose Connector產品類型:Headers & Wire Housings40000子類別:Headers & Wire Housings零件號別名:666-0034-3-00單位重量:6 mg

STDRIVEG600半橋柵極驅動器輸出電流大,高低邊輸出信號傳播延遲相同,都是45ns,能夠驅動 GaN 增強型 FET 高頻開關。

STDRIVEG600 的驅動電源電壓高達 20V,還適用于驅動 N 溝道硅基 MOSFET管,在驅動 GaN 器件時,可以靈活地施加 6V 柵極-源極電壓 (VGS),確保導通電阻 Rds(on)保持在較低水平。

自舉電路使用同步整流 MOSFET開關管,使自舉電壓達到VCC邏輯電源電壓值,從而讓驅動器只使用一個電源,而無需低壓降穩壓器 (LDO)。

(素材來源:eepw和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

低功耗運行并實現高速度、低延遲、高時間分辨率的數據輸出外,這兩款傳感器還具有小尺寸但分辨率超高的特點。

集合所有這些優勢,以確保在不同環境和情況下立即檢測到移動對象。

相比此前的硅通孔(TSV)布線相比,這種方式提供了更高的設計自由度,提高了生產效率,有助于縮小尺寸并提高性能。

這兩款傳感器的像素部分與底部邏輯電路部分,使用銅焊盤進行電氣連接。

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STDRIVEG600半橋柵極驅動器輸出電流大,高低邊輸出信號傳播延遲相同,都是45ns,能夠驅動 GaN 增強型 FET 高頻開關。

STDRIVEG600 的驅動電源電壓高達 20V,還適用于驅動 N 溝道硅基 MOSFET管,在驅動 GaN 器件時,可以靈活地施加 6V 柵極-源極電壓 (VGS),確保導通電阻 Rds(on)保持在較低水平。

自舉電路使用同步整流 MOSFET開關管,使自舉電壓達到VCC邏輯電源電壓值,從而讓驅動器只使用一個電源,而無需低壓降穩壓器 (LDO)。

(素材來源:eepw和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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