牽引逆變器應用成熟設計通常為IGBT與二極管的形式達到200kW的設計。通過本次發布的6mΩ器件單管6顆并聯方式，在200kW下能夠減少3.1倍的整體功率損耗。

當然，實際上電動車在大部分運行中都是輕載到中載之間，6mΩ器件在輕載中損失能夠減少5-6倍。

這是因為IGBT本身存在膝點電壓，SiCFET則沒有這個問題，有負載條件下切換損失較低。

反之對比市面上其他SiCFET牽引逆變器產品，UnitedSiC在給定面積下可提供更低的傳導損耗，或在相同損耗下提供更小的芯片面積。

制造商: ISSI

產品種類: 靜態隨機存取存儲器

RoHS: 詳細信息

存儲容量: 8 Mbit

組織: 512 k x 16

訪問時間: 10 ns

接口類型: Parallel

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 3.135 V

電源電流—最大值: 110 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSOP-44

封裝: Tray

商標: ISSI

數據速率: SDR

濕度敏感性: Yes

端口數量: 1

產品類型: SRAM

系列: IS61LV51216

工廠包裝數量: 135

子類別: Memory & Data Storage

類型: Asynchronous

動力電池提高到500V，750V SiCFET是關鍵,碳化硅著重的市場主要是電動汽車的市場。

電機驅動功率等級通常非常大，同時終端用戶希望將動力電池電壓提高到500V。通過本次750V全新產品的發布，能夠簡單滿足客戶設計需求，且擁有一定的設計裕量。

6mΩ、9mΩ、11mΩ產品可以進行不同的并聯設計，來針對不同功率等級需求。

這些組件結合了我們工業客戶所期望的高引腳數和非常有吸引力的價格，同時也保持了Harwin 眾所周知的高水平構建質量。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）