低歐姆電阻的單刀雙擲(SPDT)的模擬開關FSA4157
發布時間:2021/10/1 23:06:39 訪問次數:423
低歐姆電阻的單刀雙擲(SPDT)的模擬開關FSA4157,常開單刀單擲(SPST NO)模擬開關FSA1156和常閉單刀單擲(SPST NC)模擬開關FSA1157.
這些低導通電阻Ron器件保持了信號的完整性,降低了支持音頻和信號處理應用所需的驅動能力.
Fairchild的開關的帶寬高于350MHz,所以能支持低電壓應用時的高速模擬和數字信號路徑,提供比7500V(HBM)更好的ESD保護.
采用芯片尺寸的MicroPak封裝,所有產品比傳統的SC70和SOT-23封裝產品要節省65%的空間.
制造商: MaxLinear
產品種類: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
系列: SP3485
功能: Transceiver
數據速率: 10 Mb/s
激勵器數量: 1 Driver
接收機數量: 1 Receiver
電源電壓-最小: 3.135 V
電源電壓-最大: 3.465 V
工作電源電壓: 3.3 V
工作電源電流: 800 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: MaxLinear
雙工: Half Duplex
ESD 保護: 2 kV
輸入電壓: - 7 V to 12 V
輸出電流: 250 mA
輸出類型: Differential
輸出電壓: 1.5 V to 3.3 V
Pd-功率耗散: 600 mW
產品: RS-422/RS-485 Transceivers
產品類型: RS-422/RS-485 Interface IC
傳播延遲時間: 17 ns, 35 ns
支持協議: RS-422, RS-485
關閉: No Shutdown
工廠包裝數量: 2500
子類別: Interface ICs
類型: Transceiver
單位重量: 143 mg
EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術。
由于DCB材料的熱導率更高，結到散熱器的熱阻（R thJH）最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模塊中，該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結溫，進而可以延長系統壽命。
其常見應用包括：電動車輛充電設施、儲能系統、光伏逆變器、不間斷電源系統 (UPS)，以及服務器和電信用開關電源 (SMPS)。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
低歐姆電阻的單刀雙擲(SPDT)的模擬開關FSA4157,常開單刀單擲(SPST NO)模擬開關FSA1156和常閉單刀單擲(SPST NC)模擬開關FSA1157.
這些低導通電阻Ron器件保持了信號的完整性,降低了支持音頻和信號處理應用所需的驅動能力.
Fairchild的開關的帶寬高于350MHz,所以能支持低電壓應用時的高速模擬和數字信號路徑,提供比7500V(HBM)更好的ESD保護.
采用芯片尺寸的MicroPak封裝,所有產品比傳統的SC70和SOT-23封裝產品要節省65%的空間.
制造商: MaxLinear
產品種類: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
系列: SP3485
功能: Transceiver
數據速率: 10 Mb/s
激勵器數量: 1 Driver
接收機數量: 1 Receiver
電源電壓-最小: 3.135 V
電源電壓-最大: 3.465 V
工作電源電壓: 3.3 V
工作電源電流: 800 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: MaxLinear
雙工: Half Duplex
ESD 保護: 2 kV
輸入電壓: - 7 V to 12 V
輸出電流: 250 mA
輸出類型: Differential
輸出電壓: 1.5 V to 3.3 V
Pd-功率耗散: 600 mW
產品: RS-422/RS-485 Transceivers
產品類型: RS-422/RS-485 Interface IC
傳播延遲時間: 17 ns, 35 ns
支持協議: RS-422, RS-485
關閉: No Shutdown
工廠包裝數量: 2500
子類別: Interface ICs
類型: Transceiver
單位重量: 143 mg
EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術。
由于DCB材料的熱導率更高，結到散熱器的熱阻（R thJH）最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模塊中，該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結溫，進而可以延長系統壽命。
其常見應用包括：電動車輛充電設施、儲能系統、光伏逆變器、不間斷電源系統 (UPS)，以及服務器和電信用開關電源 (SMPS)。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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