50V/65V氮化鎵技術高達120 FPS的速度進行快速3D傳感
發布時間:2021/10/5 12:12:37 訪問次數:99
100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術，此技術適用的應用領域非常廣泛，包括雷達、航空電子、電子戰、工業、科研和醫療系統。
在100V工作時，此項技術通過單個氮化鎵晶體管即可實現3.6千瓦(kW)的輸出功率，打破了射頻功率的性能屏障。
與更常見的50V/65V氮化鎵技術相比，Integra的100V氮化鎵技術使設計師能夠大幅提高系統的功率水平和功能，同時還能采用更低功率的組合電路來簡化系統架構。
制造商:Mini-Circuits產品種類:信號調節產品類型:Signal Conditioning產品:Splitter Filter Modules頻率:650 MHz頻率范圍:1 MHz to 650 MHz阻抗:50 Ohms端接類型:SMD/SMT封裝 / 箱體:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel安裝:SMD/SMT類型:2-Way Core, Wire Power Splitter商標:Mini-Circuits介入損耗:0.5 dB1000子類別:Filters單位重量:2.568 g
使用簡單的Raspberry Pi主機，以高達120 FPS的速度進行快速3D傳感，從而能夠對快速移動的物體進行高精度、低延遲的三維點云數據測量。
在其他特定主機上亦可實現并支持更高的速度（即>600fps）。
DK-ILT001外形小巧輕便[44（寬）×24（深）×16（高）mm，重16g]，可支持開發緊湊型3D傳感系統。該系統可輕松附著于包括移動物體在內的許多設備,并由價格不貴的Raspberry Pi設備進行托管。
這簡化了對具有更高水平3D性能的新應用的評估和開發。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術，此技術適用的應用領域非常廣泛，包括雷達、航空電子、電子戰、工業、科研和醫療系統。
在100V工作時，此項技術通過單個氮化鎵晶體管即可實現3.6千瓦(kW)的輸出功率，打破了射頻功率的性能屏障。
與更常見的50V/65V氮化鎵技術相比，Integra的100V氮化鎵技術使設計師能夠大幅提高系統的功率水平和功能，同時還能采用更低功率的組合電路來簡化系統架構。
制造商:Mini-Circuits產品種類:信號調節產品類型:Signal Conditioning產品:Splitter Filter Modules頻率:650 MHz頻率范圍:1 MHz to 650 MHz阻抗:50 Ohms端接類型:SMD/SMT封裝 / 箱體:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel安裝:SMD/SMT類型:2-Way Core, Wire Power Splitter商標:Mini-Circuits介入損耗:0.5 dB1000子類別:Filters單位重量:2.568 g
使用簡單的Raspberry Pi主機，以高達120 FPS的速度進行快速3D傳感，從而能夠對快速移動的物體進行高精度、低延遲的三維點云數據測量。
在其他特定主機上亦可實現并支持更高的速度（即>600fps）。
DK-ILT001外形小巧輕便[44（寬）×24（深）×16（高）mm，重16g]，可支持開發緊湊型3D傳感系統。該系統可輕松附著于包括移動物體在內的許多設備,并由價格不貴的Raspberry Pi設備進行托管。
這簡化了對具有更高水平3D性能的新應用的評估和開發。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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