全新高性能微控制器 (MCU) 產品系列，推動了邊緣端的實時控制、網絡互聯和智能分析。憑借全新的Sitara AM2x系列MCU，工程師可以使用10倍于以前基于閃存MCU的運算能力。

高性能AM2x系列縮小了MCU和處理器之間日益增加的性能差距，使設計人員能夠在工廠自動化、機器人、汽車系統和可持續能源管理等應用領域突破性能限制。

人們對工業自動化、下一代汽車、智能分析和萬物互聯的需求推升了邊緣端微控制器的性能要求——更快速、更準確。為分布式系統提供更先進、更高效的處理能力是實現工業4.0的關鍵步驟之一.

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: P-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 5 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 220 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-P2

晶體管類型: 1 P-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 119 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 28 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 146 ns

典型接通延遲時間: 32 ns

零件號別名: IPB18P4P4L2XT SP000709460 IPB180P04P4L02ATMA1

單位重量: 1.600 g

指令/地址/數據復接I/O端口,

硬件數據保護,在電源變化時編程/擦除鎖住,

用于高性能編程的緩存編程操作,

加電時自動讀操作,

采用可靠的CMOS浮置柵技術,

00K編程/擦除次數,數據保存10年,

用于復制保護的獨特ID.

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）