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高密度器件能使存儲子系統的高水平功能滿足快速產品

發布時間:2021/10/5 20:04:41 訪問次數:133

全新汽車高清鏈路(AHL)技術——新款RAA279971 AHL編碼芯片以及RAA279972解碼芯片,使汽車制造商能夠通過目前支持標清視頻的低成本線纜和連接器傳輸高清視頻。

高清視頻在汽車安全系統的物體識別功能中愈加關鍵。作為高級駕駛輔助系統(ADAS)市場的佼佼者,瑞薩全新AHL可與其R-CarSoC、RH850 MCU、車載PMIC和模擬器件等其它產品搭配,在幾乎任何車輛中經濟有效地實現眾多安全功能。

8Gb NAND閃存采用兩片4Gb芯片( K9K4G08U0M)堆棧在標準的48引腳TSOP封裝(12x20mm).

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續漏極電流: 34 A

Rds On-漏源導通電阻: 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 29 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 27 S

下降時間: 4 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 9 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 21 ns

典型接通延遲時間: 11 ns

零件號別名: SP000691172 IPB32N2N3GXT IPB320N20N3GATMA1

單位重量: 4 g

8Gb NAND閃存器件K9W8G08U1M.它的結構為1Gbx8,工作電壓2.7-3.6V.

數據頁的數據讀取速度為50ns/字節.片內的寫控制器能自動所有的編程和擦除功能,包括脈沖重復,內部確認和數據富余度.

這種高密度器件能使存儲子系統的高水平功能滿足快速產品如數碼相機,USB閃存驅動器,PDA和MP3播放器對存儲器的快速增長的要求.

NAND閃存特別適合用在高密度更低成本的數據存儲解決方案如移動設備中.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

全新汽車高清鏈路(AHL)技術——新款RAA279971 AHL編碼芯片以及RAA279972解碼芯片,使汽車制造商能夠通過目前支持標清視頻的低成本線纜和連接器傳輸高清視頻。

高清視頻在汽車安全系統的物體識別功能中愈加關鍵。作為高級駕駛輔助系統(ADAS)市場的佼佼者,瑞薩全新AHL可與其R-CarSoC、RH850 MCU、車載PMIC和模擬器件等其它產品搭配,在幾乎任何車輛中經濟有效地實現眾多安全功能。

8Gb NAND閃存采用兩片4Gb芯片( K9K4G08U0M)堆棧在標準的48引腳TSOP封裝(12x20mm).

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續漏極電流: 34 A

Rds On-漏源導通電阻: 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 29 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 27 S

下降時間: 4 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 9 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 21 ns

典型接通延遲時間: 11 ns

零件號別名: SP000691172 IPB32N2N3GXT IPB320N20N3GATMA1

單位重量: 4 g

8Gb NAND閃存器件K9W8G08U1M.它的結構為1Gbx8,工作電壓2.7-3.6V.

數據頁的數據讀取速度為50ns/字節.片內的寫控制器能自動所有的編程和擦除功能,包括脈沖重復,內部確認和數據富余度.

這種高密度器件能使存儲子系統的高水平功能滿足快速產品如數碼相機,USB閃存驅動器,PDA和MP3播放器對存儲器的快速增長的要求.

NAND閃存特別適合用在高密度更低成本的數據存儲解決方案如移動設備中.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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