最高交換密度多用途交換芯片VSC3108.8端口VSC3108
發布時間:2021/10/5 21:16:09 訪問次數:374
市場上數據發送最高交換密度的多用途交換芯片VSC3108.8端口的VSC3108在每平方毫米的板面積上提供0.8Gb的交換容量.
VSC3108是同一產品的四端口型號.兩種產品都是8mm方形封裝,數據速率高達6.5Gbps.
這些快速的小型有高性價比的交叉點是數字視頻,互聯網商業和數據存儲都可用的解決方案.
Vitesse的交叉接點為系統的改進提供了"焊接就通"的解決方案:能防止數據丟失,修正失真,降低元件尺寸和增加速度.其結果是更容易使用,有更好的信號完整性和功能.
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:4.3 A Rds On-漏源導通電阻:50 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:5.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.38 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:DMP3056 晶體管類型:1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 下降時間:18.2 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:4.7 ns 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:35.2 ns 典型接通延遲時間:4.9 ns 單位重量:8 mg
新的用于3G無線平臺的功率管理標準產品AT73C203,它采用Atmel的低成本主流CMOS工藝,使AT73C203成為需要"智能"功率管理的微處理器的手提和手持產品整體解決方案如3G手機,PDA,掌上電腦,POS終端,3G調制解調器和其它產品.
該器件包括集成的雙電池充電器,用來給內外電池充電,有可編的電流和電壓閾值,進行預充,快充和充電結束關斷.
雙電池工作是十分重要的,因為對于耗電量大的消費類電子產品,特別是PDA,它能加倍工作時間.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
市場上數據發送最高交換密度的多用途交換芯片VSC3108.8端口的VSC3108在每平方毫米的板面積上提供0.8Gb的交換容量.
VSC3108是同一產品的四端口型號.兩種產品都是8mm方形封裝,數據速率高達6.5Gbps.
這些快速的小型有高性價比的交叉點是數字視頻,互聯網商業和數據存儲都可用的解決方案.
Vitesse的交叉接點為系統的改進提供了"焊接就通"的解決方案:能防止數據丟失,修正失真,降低元件尺寸和增加速度.其結果是更容易使用,有更好的信號完整性和功能.
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:4.3 A Rds On-漏源導通電阻:50 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:5.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.38 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:DMP3056 晶體管類型:1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 下降時間:18.2 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:4.7 ns 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:35.2 ns 典型接通延遲時間:4.9 ns 單位重量:8 mg
新的用于3G無線平臺的功率管理標準產品AT73C203,它采用Atmel的低成本主流CMOS工藝,使AT73C203成為需要"智能"功率管理的微處理器的手提和手持產品整體解決方案如3G手機,PDA,掌上電腦,POS終端,3G調制解調器和其它產品.
該器件包括集成的雙電池充電器,用來給內外電池充電,有可編的電流和電壓閾值,進行預充,快充和充電結束關斷.
雙電池工作是十分重要的,因為對于耗電量大的消費類電子產品,特別是PDA,它能加倍工作時間.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)