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RLD65PZB5大功率輸出半導體激光器應用指南和SPICE模型

發布時間:2021/10/6 0:02:14 訪問次數:396


對于更快速DVD刻錄機,半導體激光器更高輸出的需求從2X提高到16X.由Rohm公司開發的RLD65PZB5大功率輸出半導體激光器能提供光輸出240mW,使16X DVD刻錄成為可能.

為了控制輸出電流隨輸出的升高而增加,Rohm采用原始元件設計.這使具有大輸出功率和極好熱特性成為可能.

RLD65PZB5大功率輸出半導體激光器主要特性如下:

輸出功率(Po)240mW,

響應時間2ns或更快,

低縱橫比(發散角),為1.7

金屬封裝 發光點 mm)

這種大功率DVD激光器有兩種波長,650nm/780nm.

制造商:Infineon產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-223-4晶體管極性:PNP配置:Single集電極—發射極最大電壓 VCEO:60 V集電極—基極電壓 VCBO:60 V發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V最大直流電集電極電流:100 mAPd-功率耗散:1 W增益帶寬產品fT:125 MHz最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C高度:1.6 mm長度:6.5 mm技術:Si寬度:3.5 mm商標:Infineon Technologies集電極連續電流:150 mA產品類型:BJTs - Bipolar Transistors子類別:Transistors單位重量:188 mg制造商:Infineon產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-223-4晶體管極性:PNP配置:Single集電極—發射極最大電壓 VCEO:60 V集電極—基極電壓 VCBO:60 V發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V最大直流電集電極電流:100 mAPd-功率耗散:1 W增益帶寬產品fT:125 MHz最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C高度:1.6 mm長度:6.5 mm技術:Si寬度:3.5 mm商標:Infineon Technologies集電極連續電流:150 mA產品類型:BJTs - Bipolar Transistors子類別:Transistors單位重量:188 mg



RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反饋單元(續流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT產品導通時的開關損耗(以下稱“開通損耗”*3)。

在車載充電器中采用本產品時,與以往IGBT產品相比,損耗可降低67%,與超級結MOSFET(SJ-MOSFET)相比,損耗可降低24%,有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業設備應用的功耗。

在ROHM官網上還免費提供評估和導入本系列產品所需的豐富設計數據,其中包括含有驅動電路設計方法的應用指南和SPICE模型等,以支持快速引入市場。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)



對于更快速DVD刻錄機,半導體激光器更高輸出的需求從2X提高到16X.由Rohm公司開發的RLD65PZB5大功率輸出半導體激光器能提供光輸出240mW,使16X DVD刻錄成為可能.

為了控制輸出電流隨輸出的升高而增加,Rohm采用原始元件設計.這使具有大輸出功率和極好熱特性成為可能.

RLD65PZB5大功率輸出半導體激光器主要特性如下:

輸出功率(Po)240mW,

響應時間2ns或更快,

低縱橫比(發散角),為1.7

金屬封裝 發光點 mm)

這種大功率DVD激光器有兩種波長,650nm/780nm.

制造商:Infineon產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-223-4晶體管極性:PNP配置:Single集電極—發射極最大電壓 VCEO:60 V集電極—基極電壓 VCBO:60 V發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V最大直流電集電極電流:100 mAPd-功率耗散:1 W增益帶寬產品fT:125 MHz最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C高度:1.6 mm長度:6.5 mm技術:Si寬度:3.5 mm商標:Infineon Technologies集電極連續電流:150 mA產品類型:BJTs - Bipolar Transistors子類別:Transistors單位重量:188 mg制造商:Infineon產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-223-4晶體管極性:PNP配置:Single集電極—發射極最大電壓 VCEO:60 V集電極—基極電壓 VCBO:60 V發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V最大直流電集電極電流:100 mAPd-功率耗散:1 W增益帶寬產品fT:125 MHz最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C高度:1.6 mm長度:6.5 mm技術:Si寬度:3.5 mm商標:Infineon Technologies集電極連續電流:150 mA產品類型:BJTs - Bipolar Transistors子類別:Transistors單位重量:188 mg



RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反饋單元(續流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT產品導通時的開關損耗(以下稱“開通損耗”*3)。

在車載充電器中采用本產品時,與以往IGBT產品相比,損耗可降低67%,與超級結MOSFET(SJ-MOSFET)相比,損耗可降低24%,有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業設備應用的功耗。

在ROHM官網上還免費提供評估和導入本系列產品所需的豐富設計數據,其中包括含有驅動電路設計方法的應用指南和SPICE模型等,以支持快速引入市場。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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