控制和隔離可控硅整流器(SCR)或雙向可控硅閘門的低電阻
發布時間:2021/10/11 12:46:19 訪問次數:561
一種高密度大容量多片封裝(MCP)MB84VY6A4A1，它堆棧了三片閃存，一片SRAM，兩個快速周期RAM(FCRAMTM)在一個封裝里，以滿足手機的應用。
該系列繼電器適合應用于變壓器、電纜測試，或任何其他要求高電壓但低線圈功耗的自動測試設備。
100HV系列繼電器非常適用于需要切換電源電壓的應用場合，比如要控制和隔離可控硅整流器（SCR）或雙向可控硅閘門。
MB84VY6A4A1的尺寸為15mm(長)x11mm(寬)x1.4mm(高)。
制造商:Micron Technology產品種類:動態隨機存取存儲器RoHS: 類型:SDRAM - DDR4安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:FBGA-78數據總線寬度:8 bit組織:1 G x 8存儲容量:8 Gbit最大時鐘頻率:1333 MHz電源電壓-最大:1.26 V電源電壓-最小:1.14 V電源電流—最大值:76 mA最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 95 C系列:封裝:Tray商標:Micron濕度敏感性:Yes產品類型:DRAM1260子類別:Memory & Data Storage單位重量:4.691 g
標準端子電極具有兩層電鍍結構，基底電極為Cu和Ni-Sn，而樹脂電極在兩層電鍍之間涂有導電樹脂，基底電極為Cu和Ni-Sn。
汽車電子委員會的無源汽車零部件標準,汽車各種電子控制單元（ECU）電源線的平滑和去耦.
TDK獨特的端子結構使樹脂電極具有與標準產品相當的低電阻.
3216尺寸的電容為10μF,3225尺寸的電容為22μF,較高的電容能夠節約設計空間、減少零部件數量.
高可靠性，符合AEC-Q200標準.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
一種高密度大容量多片封裝(MCP)MB84VY6A4A1，它堆棧了三片閃存，一片SRAM，兩個快速周期RAM(FCRAMTM)在一個封裝里，以滿足手機的應用。
該系列繼電器適合應用于變壓器、電纜測試，或任何其他要求高電壓但低線圈功耗的自動測試設備。
100HV系列繼電器非常適用于需要切換電源電壓的應用場合，比如要控制和隔離可控硅整流器（SCR）或雙向可控硅閘門。
MB84VY6A4A1的尺寸為15mm(長)x11mm(寬)x1.4mm(高)。
制造商:Micron Technology產品種類:動態隨機存取存儲器RoHS: 類型:SDRAM - DDR4安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:FBGA-78數據總線寬度:8 bit組織:1 G x 8存儲容量:8 Gbit最大時鐘頻率:1333 MHz電源電壓-最大:1.26 V電源電壓-最小:1.14 V電源電流—最大值:76 mA最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 95 C系列:封裝:Tray商標:Micron濕度敏感性:Yes產品類型:DRAM1260子類別:Memory & Data Storage單位重量:4.691 g
標準端子電極具有兩層電鍍結構，基底電極為Cu和Ni-Sn，而樹脂電極在兩層電鍍之間涂有導電樹脂，基底電極為Cu和Ni-Sn。
汽車電子委員會的無源汽車零部件標準,汽車各種電子控制單元（ECU）電源線的平滑和去耦.
TDK獨特的端子結構使樹脂電極具有與標準產品相當的低電阻.
3216尺寸的電容為10μF,3225尺寸的電容為22μF,較高的電容能夠節約設計空間、減少零部件數量.
高可靠性，符合AEC-Q200標準.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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