GFP LAPS或LAPF協議進行解壓并傳送到每一個以太網端口
發布時間:2021/10/13 12:37:06 訪問次數:234
通過AEC-Q200認證的新系列厚膜片式電阻---RCV-AT e3，工作電壓達3 kV，外形尺寸為2010和2512。
RCV-AT e3系列器件阻值范圍從100 kW到100 MW，公差分別為± 1 %和± 5 %，溫度系數為± 100 ppm/K和± 200 ppm/K。
電阻額定功率為1.0 W，電阻電壓系數低至25 ppm/V，工作溫度為-55 °C至+155 °C。
器件符合 RoHS標準，無鹵素，適合在自動貼片機上采用符合IEC 61760-1的波峰焊、回流焊或氣相焊工藝加工。
利用外接SDRAM，對準和差分延時補償實現接收的低階和高階虛擬連接有效載荷。而以太網幀采用GFP，LAPS或LAPF協議進行解壓，并傳送到每一個以太網端口。
對于低階和高階兩種虛擬有效載荷，提供基于LCAS處理的不同標準，允許進行無聲響的動態帶寬調整。此外，它還支持全速以太網傳輸，額外用戶的以太網傳輸以及防止幀丟失的反向壓力機制。
該芯片可用在SONET/SDH增/減和終端復接器，多服務接入平臺，下一代以太網交換，IP DSLAM和綜合接入設備。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
通過AEC-Q200認證的新系列厚膜片式電阻---RCV-AT e3，工作電壓達3 kV，外形尺寸為2010和2512。
RCV-AT e3系列器件阻值范圍從100 kW到100 MW，公差分別為± 1 %和± 5 %，溫度系數為± 100 ppm/K和± 200 ppm/K。
電阻額定功率為1.0 W，電阻電壓系數低至25 ppm/V，工作溫度為-55 °C至+155 °C。
器件符合 RoHS標準，無鹵素，適合在自動貼片機上采用符合IEC 61760-1的波峰焊、回流焊或氣相焊工藝加工。
利用外接SDRAM，對準和差分延時補償實現接收的低階和高階虛擬連接有效載荷。而以太網幀采用GFP，LAPS或LAPF協議進行解壓，并傳送到每一個以太網端口。
對于低階和高階兩種虛擬有效載荷，提供基于LCAS處理的不同標準，允許進行無聲響的動態帶寬調整。此外，它還支持全速以太網傳輸，額外用戶的以太網傳輸以及防止幀丟失的反向壓力機制。
該芯片可用在SONET/SDH增/減和終端復接器，多服務接入平臺，下一代以太網交換，IP DSLAM和綜合接入設備。
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