微軟視窗智能手機而設計的單片功率管理單元PMU+
發布時間:2021/10/19 21:51:17 訪問次數:264
uPSD3200器件很適合用在需要大容量代碼和/或數據存儲的嵌入系統，如POS外設，支票/信用卡讀卡器，熱敏打印機，條形碼掃描儀以及售貨機控制器。其它應用包括建筑物大樓的安全，報警，出入控制，工業控制，手提GPS，公用電話和儀表等。
器件有兩種封裝：52引腳和80引腳的TQFP。工作電壓5.0V和3.3V，以及工業工作溫度。
專門為微軟視窗智能手機而設計的單片功率管理單元PMU+，它有兩個型號：PCF50606 PMU+和PCF50605 PMU+。
制造商:Diodes Incorporated產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續漏極電流:4.6 ARds On-漏源導通電阻:52 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1 VQg-柵極電荷:12.5 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:1.4 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Diodes Incorporated 配置:Single 下降時間:5.5 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:2.6 ns 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關閉延遲時間:15 ns 典型接通延遲時間:3.1 ns 單位重量:8 mg
嵌入式的基于8051核的微控制器uPSD3200系列，它是根據該公司專有的可編系統器件(PSD)結構。uPSD3200器件具有容量大的雙組閃存，大容量SRAM以及基于閃存的可編邏輯和JTAG在系統編程。
uPSD3200進一步擴充了ST目前的能提供大容量閃存和8051兼容內核的8位閃存/ROM微控制器系列產品，更能提供廣泛應用的解決方案。
系列中的40MHz8032核支持USB和許多其它的片上外設，使得該產品能為廣泛的嵌入控制應用提供完整的解決方案。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
uPSD3200器件很適合用在需要大容量代碼和/或數據存儲的嵌入系統，如POS外設，支票/信用卡讀卡器，熱敏打印機，條形碼掃描儀以及售貨機控制器。其它應用包括建筑物大樓的安全，報警，出入控制，工業控制，手提GPS，公用電話和儀表等。
器件有兩種封裝：52引腳和80引腳的TQFP。工作電壓5.0V和3.3V，以及工業工作溫度。
專門為微軟視窗智能手機而設計的單片功率管理單元PMU+，它有兩個型號：PCF50606 PMU+和PCF50605 PMU+。
制造商:Diodes Incorporated產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續漏極電流:4.6 ARds On-漏源導通電阻:52 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1 VQg-柵極電荷:12.5 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:1.4 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Diodes Incorporated 配置:Single 下降時間:5.5 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:2.6 ns 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關閉延遲時間:15 ns 典型接通延遲時間:3.1 ns 單位重量:8 mg
嵌入式的基于8051核的微控制器uPSD3200系列，它是根據該公司專有的可編系統器件(PSD)結構。uPSD3200器件具有容量大的雙組閃存，大容量SRAM以及基于閃存的可編邏輯和JTAG在系統編程。
uPSD3200進一步擴充了ST目前的能提供大容量閃存和8051兼容內核的8位閃存/ROM微控制器系列產品，更能提供廣泛應用的解決方案。
系列中的40MHz8032核支持USB和許多其它的片上外設，使得該產品能為廣泛的嵌入控制應用提供完整的解決方案。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
