TPS54x73加電在起動時核電壓等于I/O電壓減去二極管壓降
發布時間:2021/10/22 23:23:45 訪問次數:325
當處理器的核電壓和I/O電壓在電源起動時在一定的電壓差內需要互相跟蹤時,TPS54x73能可靠地加電。在起動時核電壓等于I/O電壓減去二極管壓降。
新元件的其它特性包括預提取4位,差分鎖存和可變數據輸出阻抗調整。它是采用Infineon公司的下一代110nm DRAM工藝制造。
由此制造1GB DDR SO-DIMM PC2100可用在高端筆記本電腦和膝上型電腦。
1GB SO-DIMM采用8個1Gb元件,它用Infinoen的兩個512Mb芯片封裝一個封裝內。
制造商:Diodes Incorporated產品種類:開關穩壓器RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOT-26-6拓撲結構:Buck輸出電壓:800 mV to 31 V輸出電流:3 A輸出端數量:1 Output最大輸入電壓:32 V最小輸入電壓:3.8 V靜態電流:22 uA開關頻率:500 kHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Diodes Incorporated濕度敏感性:Yes產品類型:Switching Voltage Regulators關閉:Shutdown3000子類別:PMIC - Power Management ICs類型:Synchronous單位重量:8 mg
200引腳的連接器,工作在5V,有兩個128MbX64組。PC2100模塊的工程樣品價格為$900。和1G模塊兼容的PC2700模塊計劃在2003年第二季度提供。
512Mb元件也擴展到移動存儲器系列,它包括128Mb和256Mb兩種。
它的占位面積和待機功耗都比通常的DRAM產品小50%,移動RAM很適合用在手持電子產品如PDA,智能手機,數碼相機和網絡便箋簿。移動RAM工作在2.5V而不是通常SDRAM的3.3V,由于它的功率管理技術,其功耗進一步降低。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
當處理器的核電壓和I/O電壓在電源起動時在一定的電壓差內需要互相跟蹤時,TPS54x73能可靠地加電。在起動時核電壓等于I/O電壓減去二極管壓降。
新元件的其它特性包括預提取4位,差分鎖存和可變數據輸出阻抗調整。它是采用Infineon公司的下一代110nm DRAM工藝制造。
由此制造1GB DDR SO-DIMM PC2100可用在高端筆記本電腦和膝上型電腦。
1GB SO-DIMM采用8個1Gb元件,它用Infinoen的兩個512Mb芯片封裝一個封裝內。
制造商:Diodes Incorporated產品種類:開關穩壓器RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOT-26-6拓撲結構:Buck輸出電壓:800 mV to 31 V輸出電流:3 A輸出端數量:1 Output最大輸入電壓:32 V最小輸入電壓:3.8 V靜態電流:22 uA開關頻率:500 kHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Diodes Incorporated濕度敏感性:Yes產品類型:Switching Voltage Regulators關閉:Shutdown3000子類別:PMIC - Power Management ICs類型:Synchronous單位重量:8 mg
200引腳的連接器,工作在5V,有兩個128MbX64組。PC2100模塊的工程樣品價格為$900。和1G模塊兼容的PC2700模塊計劃在2003年第二季度提供。
512Mb元件也擴展到移動存儲器系列,它包括128Mb和256Mb兩種。
它的占位面積和待機功耗都比通常的DRAM產品小50%,移動RAM很適合用在手持電子產品如PDA,智能手機,數碼相機和網絡便箋簿。移動RAM工作在2.5V而不是通常SDRAM的3.3V,由于它的功率管理技術,其功耗進一步降低。
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