高性能電路的測試也表明,很平穩的晶體管參數能用在模擬和數字應用,有很低的噪音。

采用這種技術，研究人員演示了幾種破記錄的IC：110GHz+動態頻率分頻器，86GHz靜態頻率分頻器和95GHz壓控振蕩器(VCO)以及77GHz汽車雷達收發器。其結果表明，SiGe雙極工藝很適合各種高速模擬和數字方面的應用，如Gbps數據通信和寬帶無線應用或微波產品。

SiGe工藝是一種證明成熟的有70GHz 的fT工藝，所生產的產品包括有RF晶體管，低噪音放大器和用于移動無線基站的單片微波集成電路。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續漏極電流: 114 A

Rds On-漏源導通電阻: 5.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 61 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 214 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 4 ns

正向跨導 - 最小值: 46 S

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

系列: OptiMOS 5

1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 14 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: IPB073N15N5 SP001180660

單位重量: 4 g

RA6E1產品群的關鍵特性

200MHz Arm Cortex-M33 CPU內核

支持從512KB到1MB多個閃存選項；內置256KB RAM

支持溫度范圍：Ta = -40~85°C

提供從48到100引腳的封裝選項

高性能：3.95CoreMark/MHz（在閃存中執行CoreMark算法時）

集成以太網MAC

全速USB2.0、串行通信（可靈活配置成同步和異步模式的SCI、I2C、SPI）、CAN、SSI、SDHI、QSPI

集成瑞薩定時器

高級模擬功能

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）