ESD保護反平行的集電極源二極管和三端雙向可控硅開關元件
發布時間:2021/10/15 12:25:03 訪問次數:231
為了更方便的轉型到高能效的寬禁帶半導體技術，意法半導體發布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統封裝，分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應用。
連同面向 65W 至 400W 應用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，這兩款新產品為設計開關式電源、充電器、適配器、高壓功率因數校正 (PFC) 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 (GaN) 器件和驅動解決方案提供了更多的靈活性。
意法半導體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發展進程。
由于集成了ESD保護，反平行的集電極源二極管和三端雙向可控硅開關元件，VK05CFL節省了成本，空間和設計時間。
因為VK05CFL的工作頻率由外接電容來確定，不需要可飽和的變壓器。
此外，點火頻率，因為由負載決定，獨立于工作頻率。用外接幾個低壓元件還能增加預熱功能。由于在預熱電路中不需要用正溫度系數的電阻或高壓電容，VK05CFL增加了系統的穩定性。
這款IPM 具有出色并且簡單易用的控制系統，其中低邊發射極的引腳可用于相電流監控。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
為了更方便的轉型到高能效的寬禁帶半導體技術，意法半導體發布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統封裝，分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應用。
連同面向 65W 至 400W 應用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，這兩款新產品為設計開關式電源、充電器、適配器、高壓功率因數校正 (PFC) 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 (GaN) 器件和驅動解決方案提供了更多的靈活性。
意法半導體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發展進程。
由于集成了ESD保護，反平行的集電極源二極管和三端雙向可控硅開關元件，VK05CFL節省了成本，空間和設計時間。
因為VK05CFL的工作頻率由外接電容來確定，不需要可飽和的變壓器。
此外，點火頻率，因為由負載決定，獨立于工作頻率。用外接幾個低壓元件還能增加預熱功能。由于在預熱電路中不需要用正溫度系數的電阻或高壓電容，VK05CFL增加了系統的穩定性。
這款IPM 具有出色并且簡單易用的控制系統，其中低邊發射極的引腳可用于相電流監控。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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