有源層所制成薄膜晶體管(TFT)電荷遷移率超過1cm2/Vs
發布時間:2021/10/3 23:05:50 訪問次數:370
Infineon所演示的幾種器件有:采用有機半導體分子作為有源層所制成的薄膜晶體管(TFT),它的電荷遷移率超過1 cm2/ Vs.
和硅元件一樣,這些有機晶體管也有幾層:襯底,柵電極,柵絕緣體,源和漏接觸,有機半導體(如并五苯或替代品低聚合噻吩(oligothiophene))以及保護的鈍化層.
新有機材料具有高密度存儲器的潛能.眾多的有機和無機材料已用作非揮發性存儲器.有機材料的集成簡單,單元結構簡單而且尺寸很小.
制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 產品種類:開關穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOT-23-8 拓撲結構:Buck 輸出電壓:800 mV to 16 V 輸出電流:3 A 輸出端數量:1 Output 最大輸入電壓:16 V 最小輸入電壓:4.5 V 開關頻率:500 kHz 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產品:Voltage Regulators 類型:Synchronous Step-Down Converter 商標:Monolithic Power Systems (MPS) 產品類型:Switching Voltage Regulators 工廠包裝數量3000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:6.300 mg
引腳兼容主流霍爾電流傳感器，支持5V和3.3V供電，且有直流輸入電壓版本、交流輸入電壓版本、可選比例輸出電壓版本和固定電壓輸出版本以滿足不同使用場景。
采用140nm規則所制造的256M DDR DRAM測試樣品表明有高的成品率.更進一步的證明顯示,DRAM能降低到70nm以下.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
Infineon所演示的幾種器件有:采用有機半導體分子作為有源層所制成的薄膜晶體管(TFT),它的電荷遷移率超過1 cm2/ Vs.
和硅元件一樣,這些有機晶體管也有幾層:襯底,柵電極,柵絕緣體,源和漏接觸,有機半導體(如并五苯或替代品低聚合噻吩(oligothiophene))以及保護的鈍化層.
新有機材料具有高密度存儲器的潛能.眾多的有機和無機材料已用作非揮發性存儲器.有機材料的集成簡單,單元結構簡單而且尺寸很小.
制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 產品種類:開關穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOT-23-8 拓撲結構:Buck 輸出電壓:800 mV to 16 V 輸出電流:3 A 輸出端數量:1 Output 最大輸入電壓:16 V 最小輸入電壓:4.5 V 開關頻率:500 kHz 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產品:Voltage Regulators 類型:Synchronous Step-Down Converter 商標:Monolithic Power Systems (MPS) 產品類型:Switching Voltage Regulators 工廠包裝數量3000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:6.300 mg
引腳兼容主流霍爾電流傳感器，支持5V和3.3V供電，且有直流輸入電壓版本、交流輸入電壓版本、可選比例輸出電壓版本和固定電壓輸出版本以滿足不同使用場景。
采用140nm規則所制造的256M DDR DRAM測試樣品表明有高的成品率.更進一步的證明顯示,DRAM能降低到70nm以下.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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